DiseÑo Estructural De Arreglo De Celdas De Bits De Memoria De Acceso Aleatorio Magnetorresistiva (mram).
La tecnología de memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM) es una de las tecnologías emergentes más emocionantes en el mundo de los dispositivos de almacenamiento de datos. Con su capacidad para proporcionar una velocidad de lectura y escritura más rápida que la memoria flash, junto con una mayor durabilidad y menor consumo de energía, la MRAM tiene un gran potencial para revolucionar la industria de la tecnología.
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Sin embargo, el diseño estructural de las celdas de bits de la MRAM ha sido un desafío importante para los ingenieros. Las celdas de bits de la MRAM son más grandes que las de la memoria flash, lo que significa que no se pueden empacar tantas celdas de bits en el mismo espacio físico. Además, la MRAM requiere una fuente de alimentación constante para mantener los datos almacenados, lo que puede ser problemático en dispositivos portátiles con baterías limitadas.
Para abordar estos desafíos, se ha desarrollado un nuevo diseño estructural de arreglo de celdas de bits de MRAM. Este diseño utiliza una arquitectura de fila y columna que permite un mayor número de celdas de bits en el mismo espacio físico. Además, el diseño incluye una técnica de pre-carga que reduce el consumo de energía al mantener los datos almacenados sin la necesidad de una fuente de alimentación constante.
Este diseño estructural de arreglo de celdas de bits de MRAM es una patente innovadora que tiene el potencial de mejorar significativamente la capacidad y el rendimiento de la MRAM. Con su capacidad para reducir el tamaño físico de las celdas de bits y el consumo de energía, este diseño puede permitir que la MRAM se utilice en una amplia gama de dispositivos electrónicos, desde teléfonos inteligentes hasta automóviles autónomos.
En resumen, el diseño estructural de arreglo de celdas de bits de MRAM es un avance emocionante en la tecnología de almacenamiento de datos. Con su capacidad para mejorar la capacidad y el rendimiento de la MRAM, esta patente es una prueba más del potencial de la tecnología MRAM para revolucionar la industria de la tecnología y mejorar la forma en que almacenamos y accedemos a los datos.
Algunas patentes que relacionadas son: * METODO Y APARATO PARA IDENTIFICAR LA INTERFERENCIA DE CANALES COMUNES.
* SISTEMA DE DISTRIBUCION DE CORRIENTE DIRECTA.
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* SISTEMA TERAPEUTICO TRANSDERMICO AUTODESTRUCTOR CON FUNCIONALIDAD Y EFICACIA MEJORADAS.
* COMPOSICION DETERGENTE QUE COMPRENDE UN TINTE REACTIVO.
* UN ESTUCHE DE PARTES QUE COMPRENDE UN DETERGENTE SOLIDO PARA LAVANDERIA Y UN DISPOSITIVO DOSIFICADOR.
* COMPOSICION DETERGENTE QUE COMPRENDE UN SURFACTANTE DETERGENTE NO IONICO Y UN COLORANTE REACTIVO.
Descripcion: Se describen celdas de bits de Memoria de Acceso Aleatorio Magnetorresistiva de Torsion de Transferencia de Spin (STT-MRAM); las celdas de bits incluyen una linea fuente formada en un primer plano y una linea de bits formada en un segundo plano; la linea de bits tiene un eje longitudinal que es paralelo a un eje longitudinal de la linea fuente, y la linea fuente traslapa al menos una porcion de la linea de bits.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:DiseÑo Estructural De Arreglo De Celdas De Bits De Memoria De Acceso Aleatorio Magnetorresistiva (mram). en México
Solicitud: MX/a/2010/010909
Fecha de Presentacion: 2010-10-04
Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.
Inventor(es): WILLIAM H. XIA, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.
Clasificacion: G11C11/16 (2006-01) referente a DiseÑo Estructural De Arreglo De Celdas De Bits De Memoria De Acceso Aleatorio Magnetorresistiva (mram).