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DiseÑo De Almohadilla Para Stt-mram.


En el mundo de la tecnología, la memoria RAM es uno de los componentes más importantes de cualquier dispositivo electrónico. La tecnología STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory) es una de las últimas innovaciones en el campo de la memoria RAM. Esta tecnología ofrece una gran velocidad y eficiencia energética, lo que la hace ideal para su uso en dispositivos móviles y otros dispositivos electrónicos.

Sin embargo, la implementación de la tecnología STT-MRAM no es tan simple como simplemente agregar un chip de memoria RAM a un dispositivo. Es necesario diseñar una almohadilla de conexión adecuada para garantizar que la memoria funcione correctamente. La almohadilla de conexión es el punto de contacto entre la memoria y el resto del circuito, y debe ser diseñada con precisión para garantizar una conexión estable y segura.
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El diseño de la almohadilla de conexión para la tecnología STT-MRAM es particularmente importante debido a la naturaleza de la memoria. La tecnología STT-MRAM utiliza una técnica de transferencia de espín para escribir y leer datos, lo que significa que la memoria es mucho más sensible a las fluctuaciones de voltaje y ruido que la memoria RAM convencional. Por lo tanto, la almohadilla de conexión debe ser diseñada para minimizar estas interferencias y garantizar una conexión estable y segura.

Además, la almohadilla de conexión debe ser diseñada para garantizar una buena disipación de calor. La tecnología STT-MRAM genera una cantidad significativa de calor durante su funcionamiento, y una almohadilla de conexión inadecuada puede provocar un aumento de la temperatura y una disminución del rendimiento.

En conclusión, el diseño de la almohadilla de conexión es un aspecto crítico del uso de la tecnología STT-MRAM en dispositivos electrónicos. Es esencial que la almohadilla de conexión sea diseñada con precisión para garantizar una conexión estable y segura, minimizar las interferencias y garantizar una buena disipación de calor. Con el diseño adecuado, la tecnología STT-MRAM puede ofrecer una gran velocidad y eficiencia energética, lo que la hace ideal para su uso en una amplia variedad de dispositivos electrónicos.
Algunas patentes que relacionadas son:

* DESCUBRIMIENTO ASISTIDO DE INFRAESTRUCTURA EN UNA RED INALAMBRICA DE IGUAL A IGUAL.
* PROCESO PARA LA FABRICACION DE AL MENOS UN COMPUESTO DERIVADO DE ETILENO.
* QUEMADOR DE GAS PARA HORNOS O PARRILLAS.
* PROCESO PARA LA FABRICACION DE 1,2-DICLOROETANO Y DE POR LO MENOS UN COMPUESTO DERIVADO DE ETILENO DIFERENTE DEL 1,2-DICLOROETANO.
* ENVIO DE PILOTOS MEDIANTE SELECCION DE RECURSOS UTILIZADOS PARA LOS MISMOS.
* METODOS PARA REDUCIR LA ABSORCION DE LIPIDOS POR UN ANIMAL.
* NUCLEO ABSORBENTE.



Descripcion: Se proporciona una almohadilla con carga de capacitancia reducida para una disposicion de celda de bits de Memoria de Acceso Aleatorio Magnetoresistiva de Par de Transferencia de Espin (STT-MRAM). La almohadilla incluye una pluralidad de capas metalicas inferiores de forma hueca y una capa metalica superior plana formada sobre una capa superior de la pluralidad de capas metalicas inferiores de forma hueca.

Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:DiseÑo De Almohadilla Para Stt-mram. en México

Solicitud: MX/a/2010/012671

Fecha de Presentacion: 2010-11-19

Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.

Inventor(es): SEUNG H. KANG, WILLIAM XIA, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.

Clasificacion: H01L23/528 (2006-01), H01L27/22 (2006-01) referente a DiseÑo De Almohadilla Para Stt-mram.



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