Transistores De Efecto De Campo Vertical, Que Incorporan Nanotubos Semiconductores, Crecidos En Un Pasaje Definido Por El Espaciador.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Se dan a conocer transistores de efecto de campo vertical, que tienen una region de canal, definida por al menos un nanotubo semiconductor, y metodos para fabricar tales transistores de efecto de campo vertical, por medio del deposito de vapor quimico, que usa un canal definido por un espaciador. Cada nanotubo crece por el deposito de vapor quimico, catalizado por un cojin de catalizador, colocado en la base de un pasaje con relacion de aspecto alta, definido entre un espaciador y un electrodo de compuerta. Cada nanotubo crece en el pasaje con una orientacion vertical constreñida por la presencia de confinacion del espaciador. Un hueco puede ser provisto en la base del espaciador, remota de la boca del pasaje. Los reactivos fluyen a trave del hueco hasta el cojin del catalizador y participan en el crecimiento de los nanotubos.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

PA/a/2006/008502

Fecha de Presentación:

27-07-2006

Clasificación:

H01L51/30 (2006-01)

Solicitante(s):

Inventor(es):

TOSHIHARU FURUKAWA, MARK CHARLES HAKEY, STEVEN JOHN HOLMES, DAVID VACLAV HORAK, PETER MITCHELL, LARRY ALAN NESBIT, Nine Oakwood Lane, 05452, Essex Junction, VT, E.U.A.

Información Adicional

Los transistores de efecto de campo vertical (VFET) han sido un componente crucial en la electrónica moderna. Estos transistores son utilizados en una gran variedad de dispositivos electrónicos, desde computadoras hasta celulares, y se han convertido en un elemento esencial en la industria de la electrónica. Sin embargo, a pesar de su importancia, los VFETs tienen ciertas limitaciones en cuanto a su eficiencia y capacidad. Una de las limitaciones más significativas es la resistencia de los materiales utilizados en la fabricación de estos transistores. Es aquí donde entra en juego la patente de los "transistores de efecto de campo vertical, que incorporan nanotubos semiconductores, crecidos en un pasaje definido por el espaciador". Esta innovación representa una mejora significativa en la tecnología de los VFETs y su capacidad de llevar a cabo una mayor cantidad de procesos con mayor eficiencia. Los nanotubos semiconductores son una forma de nanotecnología que se ha utilizado en la fabricación de transistores desde hace varios años. Estos nanotubos son extremadamente pequeños y tienen propiedades únicas que los hacen ideales para su uso en la electrónica. En el caso de los VFETs, los nanotubos se utilizan para mejorar la eficiencia del transistor. Los nanotubos semiconductores se crecen en un pasaje definido por el espaciador, lo que permite que los electrones se muevan más fácilmente a través del transistor. La inclusión de nanotubos semiconductores en los VFETs también ayuda a reducir la resistencia del material utilizado en la fabricación de los transistores. Esto significa que los transistores pueden llevar a cabo más procesos con mayor eficiencia, lo que resulta en un dispositivo más rápido y eficiente. En resumen, la patente de los "transistores de efecto de campo vertical, que incorporan nanotubos semiconductores, crecidos en un pasaje definido por el espaciador" representa una mejora significativa en la tecnología de los VFETs. Esta innovación permite que los transistores sean más eficientes y capaces de llevar a cabo más procesos, lo que resulta en dispositivos electrónicos más rápidos y eficientes.

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