Transistores De Efecto De Campo Vertical, Que Incorporan Nanotubos Semiconductores, Crecidos En Un Pasaje Definido Por El Espaciador.
Los transistores de efecto de campo vertical (VFET) han sido un componente crucial en la electrónica moderna. Estos transistores son utilizados en una gran variedad de dispositivos electrónicos, desde computadoras hasta celulares, y se han convertido en un elemento esencial en la industria de la electrónica.
Sin embargo, a pesar de su importancia, los VFETs tienen ciertas limitaciones en cuanto a su eficiencia y capacidad. Una de las limitaciones más significativas es la resistencia de los materiales utilizados en la fabricación de estos transistores.
Es aquí donde entra en juego la patente de los "transistores de efecto de campo vertical, que incorporan nanotubos semiconductores, crecidos en un pasaje definido por el espaciador". Esta innovación representa una mejora significativa en la tecnología de los VFETs y su capacidad de llevar a cabo una mayor cantidad de procesos con mayor eficiencia.
Los nanotubos semiconductores son una forma de nanotecnología que se ha utilizado en la fabricación de transistores desde hace varios años. Estos nanotubos son extremadamente pequeños y tienen propiedades únicas que los hacen ideales para su uso en la electrónica.
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En el caso de los VFETs, los nanotubos se utilizan para mejorar la eficiencia del transistor. Los nanotubos semiconductores se crecen en un pasaje definido por el espaciador, lo que permite que los electrones se muevan más fácilmente a través del transistor.
La inclusión de nanotubos semiconductores en los VFETs también ayuda a reducir la resistencia del material utilizado en la fabricación de los transistores. Esto significa que los transistores pueden llevar a cabo más procesos con mayor eficiencia, lo que resulta en un dispositivo más rápido y eficiente.
En resumen, la patente de los "transistores de efecto de campo vertical, que incorporan nanotubos semiconductores, crecidos en un pasaje definido por el espaciador" representa una mejora significativa en la tecnología de los VFETs. Esta innovación permite que los transistores sean más eficientes y capaces de llevar a cabo más procesos, lo que resulta en dispositivos electrónicos más rápidos y eficientes.
Algunas patentes que relacionadas son: * MANEJO DE SESION DE SUMINSTRO DE ARCHIVO.
* PROCESOS Y COMPUESTOS PARA LA PREPARACION DE DERIVADOS DE NAFTILINDOL SUSTITUIDOS.
* POLIMEROS HIPERRAMIFICADOS.
* VIDEOCONFERENCIA DE TIEMPO PROGRAMADO INVOCADA POR SERVIDOR.
* PUNTA DE CORTE PARA HERRAMIENTA DE DIAMANTE Y HERRAMIENTA DE DIAMANTE.
* FORMACION ESCALONADA DE MODO ROBUSTO.
* FORMACION ESCALONADA DE MODO ROBUSTO CON COMPENSACION DE RETRASO AJUSTABLE.
Descripcion: Se dan a conocer transistores de efecto de campo vertical, que tienen una region de canal, definida por al menos un nanotubo semiconductor, y metodos para fabricar tales transistores de efecto de campo vertical, por medio del deposito de vapor quimico, que usa un canal definido por un espaciador. Cada nanotubo crece por el deposito de vapor quimico, catalizado por un cojin de catalizador, colocado en la base de un pasaje con relacion de aspecto alta, definido entre un espaciador y un electrodo de compuerta. Cada nanotubo crece en el pasaje con una orientacion vertical constreñida por la presencia de confinacion del espaciador. Un hueco puede ser provisto en la base del espaciador, remota de la boca del pasaje. Los reactivos fluyen a trave del hueco hasta el cojin del catalizador y participan en el crecimiento de los nanotubos.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Transistores De Efecto De Campo Vertical, Que Incorporan Nanotubos Semiconductores, Crecidos En Un Pasaje Definido Por El Espaciador. en México
Solicitud: PA/a/2006/008502
Fecha de Presentacion: 2006-07-27
Solicitante(s):
Inventor(es): TOSHIHARU FURUKAWA, MARK CHARLES HAKEY, STEVEN JOHN HOLMES, DAVID VACLAV HORAK, PETER MITCHELL, LARRY ALAN NESBIT, Nine Oakwood Lane, 05452, Essex Junction, VT, E.U.A.
Clasificacion: H01L51/30 (2006-01) referente a Transistores De Efecto De Campo Vertical, Que Incorporan Nanotubos Semiconductores, Crecidos En Un Pasaje Definido Por El Espaciador.