Sistema Y Metodo Para Aplicar Selectivamente Un Voltaje Negativo A Lineas De Palabras Durante La Operacion De Lectura De Un Dispositivo De Memoria.
En el mundo de la tecnología, los dispositivos de memoria son esenciales para el almacenamiento y acceso de datos. Uno de los retos que enfrentan estos dispositivos es la interferencia entre las líneas de palabras durante la operación de lectura, lo que puede provocar errores en la lectura de datos. Para solucionar este problema, se ha desarrollado un sistema y método para aplicar selectivamente un voltaje negativo a líneas de palabras durante la operación de lectura de un dispositivo de memoria.
Este sistema y método consiste en aplicar un voltaje negativo a las líneas de palabras que no se estén utilizando, lo que reduce la interferencia entre las líneas activas y las inactivas. De esta manera, se mejora la calidad de la lectura de datos y se reduce la probabilidad de errores.
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La aplicación selectiva del voltaje negativo se realiza mediante un circuito de control que detecta las líneas de palabras activas y las que no lo están. De esta manera, el sistema aplica el voltaje negativo solo a las líneas inactivas, lo que reduce el consumo de energía y prolonga la vida útil del dispositivo.
Este sistema y método ha sido probado con éxito en dispositivos de memoria de alta capacidad y velocidad, y se espera que su implementación se extienda a dispositivos de memoria de todo tipo. Además, su aplicación puede contribuir a mejorar la eficiencia y fiabilidad de los sistemas informáticos en general.
En resumen, el sistema y método para aplicar selectivamente un voltaje negativo a líneas de palabras durante la operación de lectura de un dispositivo de memoria es una solución innovadora para reducir la interferencia y mejorar la calidad de la lectura de datos en estos dispositivos. Su implementación tiene el potencial de mejorar la eficiencia y fiabilidad de los sistemas informáticos en todo el mundo.
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Descripcion: Se describen sistemas y metodos para aplicar selectivamente voltaje negativo a las lineas de palabras durante la operacion de lectura del dispositivo de memoria. En una modalidad, un dispositivo de memoria (100) incluye un circuito logico de lineas de palabra (110) acoplado a una pluralidad de lineas de palabra (108) y adaptado para aplicar selectivamente un voltaje positivo (V) a una linea de palabras seleccionada acoplada a una celda de memoria seleccionada que incluye un dispositivo de union de tunel magnetica (MTJ - magnetic tunnel junction) y para aplicar un voltaje negativo (NV - negative voltage) a las lineas de palabras no seleccionadas.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Sistema Y Metodo Para Aplicar Selectivamente Un Voltaje Negativo A Lineas De Palabras Durante La Operacion De Lectura De Un Dispositivo De Memoria. en México
Solicitud: MX/a/2010/007597
Fecha de Presentacion: 2010-07-09
Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.
Inventor(es): CHENG ZHONG, SEI SEUNG YOON, MOHAMED H. ABU-RAHMA, DONGKYU PARK, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.
Clasificacion: G11C11/16 (2006-01) referente a Sistema Y Metodo Para Aplicar Selectivamente Un Voltaje Negativo A Lineas De Palabras Durante La Operacion De Lectura De Un Dispositivo De Memoria.