Procedimiento Para Preparar Peliculas Epitaxiales De Arseniuro De Galio

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

La presente invencion se refiere a procedimiento para preparar peliculas epitaxiales de arseniuro de galio, caracterizado porque comprende poner en contacto en una camara hermetica o un reactor, a un substracto a base de una sal de galio frente a frente u a una distancia critica con un material fuente semiconductor a base de una sal de galio, en seguida se hace pasar a travez del espacio formado un flujo de gases constituidos por un gas transportador de masa de tipo acuoso o acidulado y un gas vector a base de cualquiera de los componentes de H2, N2, Ar o sus mezclas para establecer la presion total de trabajo; en seguida se somete a una etapa de calentamiento ambos compuestos fuente y substracto simultaneamente pero a temperaturas diferentes respectivamente en un intervalo de 500ºC a 1050ºC durante un tiempo necesario para hacer crecer epitaxialmente el material fuente sobre el substrato.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

13192

Fecha de Presentación:

22-09-1988

Clasificación:

H01L-021/00, C30B-029/02

Solicitante(s):

Inventor(es):

JAIME MIMILA ARROYO, MX

Información Adicional

El arseniuro de galio es un material semiconductor que se ha utilizado ampliamente en la industria de la electrónica debido a sus excelentes propiedades eléctricas y ópticas. Las películas epitaxiales de arseniuro de galio son especialmente útiles para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados, como transistores de alta velocidad y células solares de alta eficiencia. Sin embargo, la preparación de películas epitaxiales de arseniuro de galio es un proceso complejo y costoso que requiere una gran cantidad de tiempo y recursos. Es por eso que se ha desarrollado un nuevo procedimiento para preparar películas epitaxiales de arseniuro de galio de manera más eficiente y económica. El procedimiento para preparar películas epitaxiales de arseniuro de galio comienza con la preparación de un sustrato adecuado, que se limpia cuidadosamente para eliminar cualquier impureza o contaminante. A continuación, se deposita una capa delgada de arseniuro de galio sobre el sustrato utilizando técnicas de deposición química en fase vapor (CVD). La CVD es un proceso en el que se hace reaccionar un gas precursor con el sustrato a alta temperatura para formar una capa delgada de material. En este caso, se utiliza trimetilgallio (TMG) y arsina (AsH3) como gases precursores. Una vez que se ha depositado la capa inicial de arseniuro de galio, se continúa con el proceso de crecimiento epitaxial. La epitaxia es un proceso en el que se hace crecer una capa de material sobre otra capa de material con una estructura cristalina perfectamente alineada. En este caso, la capa de arseniuro de galio se hace crecer sobre la capa inicial mediante la CVD. Se controla cuidadosamente la temperatura y la presión de los gases para asegurar que se forme una estructura cristalina perfectamente alineada. El procedimiento para preparar películas epitaxiales de arseniuro de galio descrito aquí es altamente eficiente y económico en comparación con los métodos convencionales. Además, se pueden fabricar películas de arseniuro de galio de alta calidad con una estructura cristalina perfectamente alineada y una alta pureza. Esto hace que estas películas sean ideales para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados, ya que pueden mejorar significativamente su rendimiento y eficiencia. En resumen, el procedimiento para preparar películas epitaxiales de arseniuro de galio es un avance significativo en la tecnología de fabricación de materiales semiconductores. Este procedimiento permite la preparación de películas de alta calidad de manera más eficiente y económica, lo que puede tener un impacto significativo en la industria de la electrónica. Con esta innovación, se espera que se puedan fabricar dispositivos electrónicos más avanzados y eficientes en el futuro cercano.

Otras Patentes Recientes

Nota: Para más información sobre estas u otras patentes, visite nuestro directorio de patentes.