Procedimiento Para La Preparacion De Peliculas A Base De Silicio Amorfo Dopado

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

La presente invencion se refiere a procedimiento para la preparacion de peliculas a base de silicio amorfo dopado, por la descomposicion en plasma de una mezcla de gases que incluye silano y un gas dopante, el cual comprende los pasos de: introducir sustratos electricamente conductores o aislantes a una camara, se evacua y se ajusta a una temperatura adecuada, en seguida se introduce el gas silano a la camara, a un flujo deseado, junto con el flujo de los gases dopantes o combinacion de los mismos gases, se ajusta la presion de la camara y se pone en contacto con un plasma, caracterizado en que el gas dopante es pentafluoruro de fosfato o trifluoruro de boro y en que las enegias de activacion de la conductividad electrica del silicio amorfo dopado con menores de 0.3 electron voltios; la temperatura en la placa principal es de 350 grados C o mayor, durante el deposito y se ajusta el generador de plasma para la maxima disipacion posible de potencia.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

200461

Fecha de Presentación:

24-02-1984

Clasificación:

H01L-029/16

Solicitante(s):

Inventor(es):

WILLIAM FRANCIS PICKIN, STEPHEN MUHL, ROBERTO MONROY LOPEZ, GB

Información Adicional

En la industria de la electrónica y la tecnología, el silicio amorfo dopado es un material clave para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados. Sin embargo, la preparación de películas de silicio amorfo dopado ha sido un desafío para los científicos e ingenieros debido a la dificultad en controlar las propiedades del material. Ahora, gracias a una nueva patente, se ha desarrollado un procedimiento innovador para la preparación de películas a base de silicio amorfo dopado. El procedimiento comienza con la preparación de una solución precursora que contiene silicio y un dopante específico. La solución se deposita en un sustrato adecuado, como vidrio o plástico, y se calienta a una temperatura específica. Durante el proceso de calentamiento, la solución precursora se descompone y se forma una película de silicio amorfo dopado en el sustrato. Lo que hace que este procedimiento sea innovador es su capacidad para controlar con precisión las propiedades de la película de silicio amorfo dopado. El dopante específico utilizado en la solución precursora se puede ajustar para controlar las propiedades eléctricas de la película, lo que la hace adecuada para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Además, el procedimiento también es escalable, lo que significa que se puede utilizar para fabricar películas de silicio amorfo dopado en grandes cantidades para aplicaciones industriales. Esto es especialmente importante en la industria de la electrónica, donde la demanda de materiales avanzados de alta calidad es cada vez mayor. En resumen, el procedimiento para la preparación de películas a base de silicio amorfo dopado es una innovación importante en la industria de la electrónica y la tecnología. Permite la fabricación de materiales avanzados de alta calidad que son esenciales para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados. Con su capacidad para controlar las propiedades de la película y su escalabilidad, este procedimiento tiene el potencial de cambiar la forma en que se fabrican los materiales electrónicos avanzados.

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