Procedimiento Para Obtener Peliculas De Dioxido De Silicio A Bajas Temperaturas Mediante Plasmas De Halogenuros De Silicio
La presente patente describe un procedimiento innovador para la obtención de películas de dióxido de silicio a bajas temperaturas mediante el uso de plasmas de halogenuros de silicio. Este método permite obtener películas de alta calidad y uniformidad, con una amplia variedad de aplicaciones en la industria electrónica y de semiconductores.
El proceso se lleva a cabo en una cámara de plasma, donde se introduce un gas precursor que contiene halogenuros de silicio, como el tetracloruro de silicio (SiCl4). La cámara se somete a una descarga de plasma, que genera una serie de reacciones químicas que conducen a la formación de películas de dióxido de silicio en la superficie del sustrato.
Lo novedoso de este proceso es que se lleva a cabo a bajas temperaturas, lo que reduce los costos energéticos y permite el uso de sustratos sensibles al calor, como los plásticos. Además, la utilización de halogenuros de silicio como precursores permite obtener películas de mayor calidad y uniformidad que otros métodos convencionales.
Las películas de dióxido de silicio obtenidas mediante este procedimiento tienen una amplia variedad de aplicaciones en la industria electrónica y de semiconductores, como la fabricación de microchips, pantallas de cristal líquido, paneles solares y dispositivos electrónicos flexibles.
Empodera tus decisiones educativas con alumnosonline.com, la base de datos más completa.
En resumen, el procedimiento para obtener películas de dióxido de silicio a bajas temperaturas mediante plasmas de halogenuros de silicio descrito en esta patente es una innovación tecnológica que permite obtener películas de alta calidad y uniformidad para aplicaciones en la industria electrónica y de semiconductores.
Algunas patentes que relacionadas son: * FLUIDO DE ALTA DENSIDAD PARA LA PERFORACION, TERMINACION Y REPARACION DE POZOS PETROLEROS
* FLUIDO TERMICO MEJORADO PARA SISTEMAS DE TRANSFERENCIA DE CALOR
* COMPOSICION CATALITICA PARA LA CONVERSION DE HIDROCARBUROS
* PROCEDIMIENTO MEJORADO PARA PREPARAR UNA COMPOSICION CATALITICA PARA LA DESHIDROGENACION DE HIDROCARBUROS Y PRODUCTO RESULTANTE
* COMPOSICION MEJORADA INHIBIDORA DE LA CORROSION DEL ACIDO SULFURICO
* TRANSFORMADOR DE POTENCIA CON NUCLEO HUECO PARA CIRCUITO ELECTRONICO
* MODELO INDUSTRIAL DE TINA DE HIDROMASAJE
Descripcion: La presente invencion se refiere a un procedimiento para obtener peliculas de dioxido de silicio a bajas temperaturas mediante plasmas de halogenuros de silicio, el cual comprende los pasos de: preparar una camara de reaccion libre de humedad en la cual se inserta un substrato por lo general de silicio monocritalino o de otro material, evacuando hasta aproximadamente -1 Torr; calentar el substrato hasta temperaturas medianas; alimentar simultaneamente un material fuente en una relacion de oxidante/halogenuro 50 a 250 de un flujo de gases a base de halogenuro de silicio de preferencia SiF4 o SiC14 y una fuente de oxigeno; formacion de un plasma mediante la aplicacion de un voltaje alterno que permita formar una densidad de potencia en el plasma creado de 150 a 250 mw/cm cuadrado y depositacion de la pelicula de dioxido de silicio sobre el substrato a presiones en la camara de 250 a 800 mtorr; caracterizado porque el calentamiento para la depositacion de pelicula se efectua a temperaturas bajas o sea de 150 a 350 grados C en comparacion con los procesos convencionales.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Procedimiento Para Obtener Peliculas De Dioxido De Silicio A Bajas Temperaturas Mediante Plasmas De Halogenuros De Silicio en México
Solicitud: 18616
Fecha de Presentacion: 1989-12-07
Solicitante(s):
Inventor(es): CIRO FALCONY GUAJARDO, STEPHEN MUHL SAUNDERS, ARMANDO ORTIZ REBOLLO, MX
Clasificacion: C01B-033/02 referente a Procedimiento Para Obtener Peliculas De Dioxido De Silicio A Bajas Temperaturas Mediante Plasmas De Halogenuros De Silicio