Procedimiento Para La Dotacion Selectiva De Silicio Y Sustrato De Silicio Tratado Con Dicho Procedimiento.
La patente "Procedimiento para la dotación selectiva de silicio y sustrato de silicio tratado con dicho procedimiento" es un avance significativo en la tecnología de los semiconductores. Esta patente describe un proceso para dotar selectivamente el silicio, lo que significa que se puede colocar una cantidad precisa de impurezas en áreas específicas del sustrato de silicio.
Este proceso es esencial para la fabricación de circuitos integrados y otros dispositivos electrónicos avanzados. Los circuitos integrados están formados por capas de materiales semiconductores, cada una de las cuales se ha dotado selectivamente con impurezas. Estas impurezas, llamadas dopantes, cambian las propiedades eléctricas del material, lo que permite la creación de dispositivos electrónicos.
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El procedimiento descrito en esta patente utiliza una técnica de deposición química de vapor (CVD) para depositar una capa de material dopante en ciertas áreas del sustrato de silicio. La deposición se realiza en un ambiente controlado, y se utiliza una máscara para asegurar que solo se deposite material dopante en las áreas deseadas.
Una vez que se ha depositado la capa de material dopante, el sustrato de silicio se somete a un tratamiento térmico para activar las impurezas. Este tratamiento térmico cambia las propiedades eléctricas del material, lo que permite la creación de dispositivos electrónicos.
El sustrato de silicio tratado con este procedimiento tiene aplicaciones en una amplia gama de dispositivos electrónicos, desde circuitos integrados hasta células solares. La capacidad de dotar selectivamente el silicio es esencial para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados, y esta patente es un paso importante hacia la mejora de esta tecnología.
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Descripcion: Un procedimiento para la dotacion selectiva de silicio de un sustrato de silicio (1) para la produccion de una transicion-pn en el silicio se caracteriza por las siguientes etapas: a) provision de la superficie del sustrato de silicio (1) con un agente de dotacion (2) basado en fosforo, b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio (1) para la generacion de un cristal de silicato de fosforo (2) sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fosforo en el interior del silicio como primera dotacion (3), c) aplicacion de una mascara (4) sobre el cristal de silicato de fosforo (2), que cubre las regiones (5) que son altamente dotadas posteriormente, d) retirada del cristal de silicato de fosforo (2) en las regiones no enmascaradas, e) retirada de la mascara (4) fuera del cristal de silicato de fosforo (2), f) calentamiento de nuevo para la difusion posterior de fosforo desde el cristal de silicato de fosforo (2) en el silicio como segunda dotacion para la generacion de las regiones (5) altamente dotadas, g) retirada completa del cristal de silicato de fosforo (2) desde el silicio.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Procedimiento Para La Dotacion Selectiva De Silicio Y Sustrato De Silicio Tratado Con Dicho Procedimiento. en México
Solicitud: MX/a/2010/011269
Fecha de Presentacion: 2010-10-14
Solicitante(s): GEBR. SCHMID GMBH & CO.; Robert-Bosch-Strasse 32-34, 72250, Freudenstadt, ALEMANIA
Inventor(es): HABERMANN, DIRK, Keltenring 110, 79199, Kirchzarten, ALEMANIA
Clasificacion: H01L31/0216 (2006-01), H01L21/225 (2006-01), H01L31/0224 (2006-01), H01L31/068 (2006-01) referente a Procedimiento Para La Dotacion Selectiva De Silicio Y Sustrato De Silicio Tratado Con Dicho Procedimiento.