Procedimiento Para La Dotacion Selectiva De Silicio Y Sustrato De Silicio Tratado Con Dicho Procedimiento.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Un procedimiento para la dotacion selectiva de silicio de un sustrato de silicio (1) para la produccion de una transicion-pn en el silicio se caracteriza por las siguientes etapas: a) provision de la superficie del sustrato de silicio (1) con un agente de dotacion (2) basado en fosforo, b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio (1) para la generacion de un cristal de silicato de fosforo (2) sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fosforo en el interior del silicio como primera dotacion (3), c) aplicacion de una mascara (4) sobre el cristal de silicato de fosforo (2), que cubre las regiones (5) que son altamente dotadas posteriormente, d) retirada del cristal de silicato de fosforo (2) en las regiones no enmascaradas, e) retirada de la mascara (4) fuera del cristal de silicato de fosforo (2), f) calentamiento de nuevo para la difusion posterior de fosforo desde el cristal de silicato de fosforo (2) en el silicio como segunda dotacion para la generacion de las regiones (5) altamente dotadas, g) retirada completa del cristal de silicato de fosforo (2) desde el silicio.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2010/011269

Fecha de Presentación:

14-10-2010

Clasificación:

H01L31/0216 (2006-01), H01L21/225 (2006-01), H01L31/0224 (2006-01), H01L31/068 (2006-01)

Solicitante(s):

GEBR. SCHMID GMBH & CO.; Robert-Bosch-Strasse 32-34, 72250, Freudenstadt, ALEMANIA

Inventor(es):

HABERMANN, DIRK, Keltenring 110, 79199, Kirchzarten, ALEMANIA

Información Adicional

La patente "Procedimiento para la dotación selectiva de silicio y sustrato de silicio tratado con dicho procedimiento" es un avance significativo en la tecnología de los semiconductores. Esta patente describe un proceso para dotar selectivamente el silicio, lo que significa que se puede colocar una cantidad precisa de impurezas en áreas específicas del sustrato de silicio. Este proceso es esencial para la fabricación de circuitos integrados y otros dispositivos electrónicos avanzados. Los circuitos integrados están formados por capas de materiales semiconductores, cada una de las cuales se ha dotado selectivamente con impurezas. Estas impurezas, llamadas dopantes, cambian las propiedades eléctricas del material, lo que permite la creación de dispositivos electrónicos. El procedimiento descrito en esta patente utiliza una técnica de deposición química de vapor (CVD) para depositar una capa de material dopante en ciertas áreas del sustrato de silicio. La deposición se realiza en un ambiente controlado, y se utiliza una máscara para asegurar que solo se deposite material dopante en las áreas deseadas. Una vez que se ha depositado la capa de material dopante, el sustrato de silicio se somete a un tratamiento térmico para activar las impurezas. Este tratamiento térmico cambia las propiedades eléctricas del material, lo que permite la creación de dispositivos electrónicos. El sustrato de silicio tratado con este procedimiento tiene aplicaciones en una amplia gama de dispositivos electrónicos, desde circuitos integrados hasta células solares. La capacidad de dotar selectivamente el silicio es esencial para la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados, y esta patente es un paso importante hacia la mejora de esta tecnología.

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