Peliculas Semiconductoras De Aleacion Cuaternaria O Mas Alta Del Grupo I-iii-vi.
Las películas semiconductoras de aleación cuaternaria o más alta del grupo I-III-VI son una nueva patente que está revolucionando el mundo de la tecnología. Estas películas son capaces de mejorar el rendimiento de los dispositivos electrónicos y reducir su consumo de energía al mismo tiempo.
La aleación cuaternaria está compuesta de cuatro elementos diferentes: dos elementos del grupo III (como el aluminio y el galio), un elemento del grupo I (como el cobre) y un elemento del grupo VI (como el selenio). Esta combinación única de elementos crea una estructura cristalina que es altamente eficiente en la conversión de energía.
La patente de las películas semiconductoras de aleación cuaternaria o más alta del grupo I-III-VI se centra en la creación de una película delgada de material semiconductivo que puede ser utilizada en una variedad de dispositivos electrónicos. Los ejemplos incluyen células solares, pantallas de visualización y dispositivos de iluminación.
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La ventaja de estas películas semiconductoras es que son altamente eficientes en la conversión de energía. Esto significa que los dispositivos electrónicos que utilizan estas películas pueden funcionar con una menor cantidad de energía, lo que reduce su consumo de energía y prolonga su vida útil. Además, las películas semiconductoras de aleación cuaternaria también tienen una mayor resistencia a la corrosión y a la degradación térmica, lo que las hace ideales para su uso en entornos hostiles.
En resumen, la patente de las películas semiconductoras de aleación cuaternaria o más alta del grupo I-III-VI está revolucionando la tecnología al mejorar el rendimiento de los dispositivos electrónicos y reducir su consumo de energía. Esta patente promete mejorar nuestra calidad de vida y hacer que la tecnología sea más sostenible para el futuro.
Algunas patentes que relacionadas son: * DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE AGUA CON ENERGIA RECTIFICADA DE ONDA COMPLETA.
* CONCHA DE LATA Y EXTREMO DE LATA CON DOBLE COSTURA.
* PILOTE TIPO TORPEDO CON RESISTENCIA MEJORADA DE SUJECION PARA ANCLAR ESTRUCTURAS FLOTANTES Y METODO DE INSTALACION.
* COMPOSICION DE VIDRIO PARA LA PRODUCCION DE VIDRIADO ABSORBENTE DE RADIACION ULTRAVIOLETA E INFRARROJA.
* CONDUCCION TERMICA DURANTE LA EXTRACCION ALCALINA.
* DISPOSITIVO DE CONSTRICCION MULTIMATERIAL PARA FORMAR ABERTURAS ESTOMALES.
* GESTION DE RED UTILIZANDO MEDICIONES PERIODICAS DE INDICADORES.
Descripcion: Esta invencion se relaciona a aleaciones cuaternarias o ma altas del grupo IB-IIIA-VIA. Ma particularmente, esta invencion se relaciona a aleaciones cuaternarias o pentenarias del grupo IB-IIIA-VIA que son adecuadas para el uso como peliculas semiconductoras. Ma especificamente, la invencion se relaciona a aleaciones cuaternarias o pentenarias que son sustancialmente homogeneas y se caracterizan por un patron de difraccion de rayos x (XRD) que tiene un maximo principal [112] en un angulo 2? (2?(112)) de 26º a 28º para la radiacion de Cu en 40 kV, en donde un patron de difraccion de rayos x de incidencia rasante (GIXRD) para un angulo rasante de 0.2º a 10º refleja un desplazamiento absoluto en el angulo 2? (112) de menos de 0.06º.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Peliculas Semiconductoras De Aleacion Cuaternaria O Mas Alta Del Grupo I-iii-vi. en México
Solicitud: PA/a/2006/001723
Fecha de Presentacion: 2006-02-13
Solicitante(s):
Inventor(es): VIVIAN ALBERTS, Department of Physics, Rand Afrikaans University, Cnr. Kingsway and University Roads, 2006, Auckland Park, Johannesburg, SUDAFRICA
Clasificacion: G01N23/223 (2006-01), H01L29/93 (2006-01) referente a Peliculas Semiconductoras De Aleacion Cuaternaria O Mas Alta Del Grupo I-iii-vi.