Metodos Para Formar Estructuras Antireflejantes Para Sensores De Imagen Cmos.
En el mundo de la tecnología, la calidad de las imágenes capturadas por los sensores de imagen CMOS es de vital importancia. Para lograr imágenes de alta calidad, es necesario minimizar los reflejos que se producen en la superficie de los sensores. Es por eso que se han desarrollado métodos para formar estructuras antirreflejantes para sensores de imagen CMOS.
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Estos métodos se basan en la creación de estructuras microscópicas en la superficie del sensor, que actúan como una especie de "trampa" para los rayos de luz que inciden en la superficie. De esta manera, se logra reducir la cantidad de luz reflejada y, por lo tanto, mejorar la calidad de la imagen capturada.
Existen diferentes técnicas para crear estas estructuras antirreflejantes, entre las que destacan la litografía de haz de electrones y la deposición de capas delgadas. En ambos casos, se utilizan técnicas avanzadas de fabricación de semiconductores para crear estructuras precisas y de alta calidad.
Además de mejorar la calidad de las imágenes, las estructuras antirreflejantes también tienen otras ventajas. Por ejemplo, pueden mejorar la sensibilidad del sensor a la luz, lo que permite capturar imágenes en condiciones de poca luz. También pueden reducir el consumo de energía del sensor, lo que es especialmente importante en dispositivos alimentados por baterías, como cámaras de teléfonos móviles.
En resumen, los métodos para formar estructuras antirreflejantes para sensores de imagen CMOS son una tecnología avanzada y de gran importancia para mejorar la calidad de las imágenes capturadas. Con el continuo avance de la tecnología de semiconductores, es probable que sigamos viendo mejoras en esta área en los próximos años.
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Descripcion: Las protuberancias (5), que tienen dimensiones verticales (h) y laterales (p) menores que el intervalo de longitud de onda de luces detectables por un fotodiodo (8), se forman en una interfaz optica entre dos capas que tienen diferentes indices refractivos. Las protuberancias pueden formarse empleando copolimeros en bloque autoensamblantes que forman una matriz de caracteristicas sublitograficas de un primer componente de bloque polimerico (112) dentro de una matriz de un segundo componente de bloque polimerico (111). El patron del componente de bloque polimerico se transfiere en una primera capa optica (4) para formar una matriz de protuberancias a nanoescala. Alternativamente, puede emplearse la litografia convencional para formar protuberancias que tengan dimensiones menores que la longitud de onda de luz. Se forma una segunda capa optica directamente en las protuberancias de la primera capa optica. La interfaz entre las primeras y segundas capas opticas tiene un indice refractivo clasificado, y provee una elevada transmision de la luz con poca reflexion.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Metodos Para Formar Estructuras Antireflejantes Para Sensores De Imagen Cmos. en México
Solicitud: MX/a/2010/012336
Fecha de Presentacion: 2010-11-11
Solicitante(s): INTERNATIONAL BUSSINES MACHINES CORPORATION; New Orchard Road, 10504, Armonk, New York, E.U.A.
Inventor(es): ADKISSON, JAMES, W., ELLIS-MONAGHAN, JOHN, J., GAMBINO, JEFFREY, P., MUSANTE, CHARLES, F., 55 Fields Lane, 05465, Jericho, VT, E.U.A.
Clasificacion: H01L31/112 (2006-01) referente a Metodos Para Formar Estructuras Antireflejantes Para Sensores De Imagen Cmos.