Metodos Para Formar Estructuras Antireflejantes Para Sensores De Imagen Cmos.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Las protuberancias (5), que tienen dimensiones verticales (h) y laterales (p) menores que el intervalo de longitud de onda de luces detectables por un fotodiodo (8), se forman en una interfaz optica entre dos capas que tienen diferentes indices refractivos. Las protuberancias pueden formarse empleando copolimeros en bloque autoensamblantes que forman una matriz de caracteristicas sublitograficas de un primer componente de bloque polimerico (112) dentro de una matriz de un segundo componente de bloque polimerico (111). El patron del componente de bloque polimerico se transfiere en una primera capa optica (4) para formar una matriz de protuberancias a nanoescala. Alternativamente, puede emplearse la litografia convencional para formar protuberancias que tengan dimensiones menores que la longitud de onda de luz. Se forma una segunda capa optica directamente en las protuberancias de la primera capa optica. La interfaz entre las primeras y segundas capas opticas tiene un indice refractivo clasificado, y provee una elevada transmision de la luz con poca reflexion.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2010/012336

Fecha de Presentación:

11-11-2010

Clasificación:

H01L31/112 (2006-01)

Solicitante(s):

INTERNATIONAL BUSSINES MACHINES CORPORATION; New Orchard Road, 10504, Armonk, New York, E.U.A.

Inventor(es):

ADKISSON, JAMES, W., ELLIS-MONAGHAN, JOHN, J., GAMBINO, JEFFREY, P., MUSANTE, CHARLES, F., 55 Fields Lane, 05465, Jericho, VT, E.U.A.

Información Adicional

En el mundo de la tecnología, la calidad de las imágenes capturadas por los sensores de imagen CMOS es de vital importancia. Para lograr imágenes de alta calidad, es necesario minimizar los reflejos que se producen en la superficie de los sensores. Es por eso que se han desarrollado métodos para formar estructuras antirreflejantes para sensores de imagen CMOS. Estos métodos se basan en la creación de estructuras microscópicas en la superficie del sensor, que actúan como una especie de "trampa" para los rayos de luz que inciden en la superficie. De esta manera, se logra reducir la cantidad de luz reflejada y, por lo tanto, mejorar la calidad de la imagen capturada. Existen diferentes técnicas para crear estas estructuras antirreflejantes, entre las que destacan la litografía de haz de electrones y la deposición de capas delgadas. En ambos casos, se utilizan técnicas avanzadas de fabricación de semiconductores para crear estructuras precisas y de alta calidad. Además de mejorar la calidad de las imágenes, las estructuras antirreflejantes también tienen otras ventajas. Por ejemplo, pueden mejorar la sensibilidad del sensor a la luz, lo que permite capturar imágenes en condiciones de poca luz. También pueden reducir el consumo de energía del sensor, lo que es especialmente importante en dispositivos alimentados por baterías, como cámaras de teléfonos móviles. En resumen, los métodos para formar estructuras antirreflejantes para sensores de imagen CMOS son una tecnología avanzada y de gran importancia para mejorar la calidad de las imágenes capturadas. Con el continuo avance de la tecnología de semiconductores, es probable que sigamos viendo mejoras en esta área en los próximos años.

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