Metodo Para La Preparacion De Peliculas Semiconductoras De Aleacion Cuaternaria O Mas Alta Del Grupo Ib-iiia-via.
En el mundo de la tecnología, las películas semiconductoras son fundamentales para el desarrollo de dispositivos electrónicos avanzados, como los paneles solares, los sensores y los transistores. En este sentido, la preparación de películas semiconductores de aleación cuaternaria o más alta del grupo IB-IIIA-VIA es un tema de gran importancia.
Para comenzar, es necesario destacar que las películas semiconductores de aleación cuaternaria o más alta del grupo IB-IIIA-VIA son aquellas que están compuestas por cuatro o más elementos químicos, pertenecientes a estos grupos de la tabla periódica. Estas películas son altamente valoradas debido a sus propiedades eléctricas y ópticas, que las hacen ideales para su uso en dispositivos electrónicos avanzados.
En cuanto a la preparación de estas películas, existen diversos métodos que pueden utilizarse, dependiendo de las características específicas de los materiales a utilizar. Uno de los métodos más comunes es la técnica de deposición física de vapor (PVD), que consiste en la evaporación de los elementos químicos en una cámara de vacío, para luego depositarlos sobre un sustrato.
Otro método utilizado es la técnica de deposición química de vapor (CVD), que se basa en la reacción química entre los gases de los elementos químicos en una cámara de vacío, para depositarlos sobre el sustrato. Este método es especialmente útil para la preparación de películas delgadas y uniformes.
Por último, la técnica de sputtering es otra opción para la preparación de películas semiconductores de aleación cuaternaria o más alta del grupo IB-IIIA-VIA. Esta técnica consiste en la generación de un plasma en una cámara de vacío, para luego bombardear el sustrato con iones de los elementos químicos, depositándolos en su superficie.
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En conclusión, la preparación de películas semiconductores de aleación cuaternaria o más alta del grupo IB-IIIA-VIA es un tema de gran importancia en el mundo de la tecnología, ya que estas películas son fundamentales para el desarrollo de dispositivos electrónicos avanzados. Existen diversos métodos para su preparación, como la PVD, la CVD y la técnica de sputtering, que pueden adaptarse a las características específicas de los materiales a utilizar.
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Descripcion: Esta invencion se relaciona a un metodo para producir peliculas semiconductoras de aleacion cuaternaria o ma alta del grupo IB-IIIA-VIA, en donde el metodo comprende las etapas de (i) proporcionar una pelicula de metal que comprende una mezcla de metales del grupo IB y el grupo IIIA; (ii) tratar con calor la pelicula de metal en la presencia de una fuente de un primer elemento del grupo VIA (el primer elemento del grupo VIA despue den la presente que es referido como VIA1) bajo condiciones para formar una primera pelicula que comprende una mezcla de por lo menos una aleacion binaria seleccionada del grupo que consiste de una aleacion del grupo IB-VIA1 y una aleacion del grupo IIIA-VIA1 y por lo menos una aleacion ternaria del grupo IB-IIIA-VIA1 (iii) opcionalmente tratar con calor la primera pelicula en la presencia de una fuente de un segundo elemento del grupo VIA (el segundo elemento del grupo VI despue en la presente que es referido como VIA2) bajo condiciones para convertir la primera pelicula en una segunda pelicula que comprende por lo menos una aleacion seleccionada del grupo que consiste de una aleacion del grupo IB-VIA1-VIA2 y una aleacion del grupo IIIA-VIA1-VIA2; y la por lo menos una aleacion ternaria del grupo IB-IIIA-VIA1 de la etapa (ii); (iv) tratar con calor ya sea la primera pelicula o la segunda pelicula para formar una pelicula semiconductora de aleacion cuaternaria o ma alta del grupo IB-IIIA-VIA.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Metodo Para La Preparacion De Peliculas Semiconductoras De Aleacion Cuaternaria O Mas Alta Del Grupo Ib-iiia-via. en México
Solicitud: PA/a/2006/001726
Fecha de Presentacion: 2006-02-13
Solicitante(s):
Inventor(es): VIVIAN ALBERTS, Department of Physics, Rand Afrikaans University, Cnr. Kingsway and University Roads, 2006, Auckland Park, Johannesburg, SUDAFRICA
Clasificacion: G01N23/09 (2006-01), H01L29/93 (2006-01) referente a Metodo Para La Preparacion De Peliculas Semiconductoras De Aleacion Cuaternaria O Mas Alta Del Grupo Ib-iiia-via.