Metodo Para La Obtencion De Peliculas De Nitruro De Galio Por Conversion De Arseniuro De Galio Mediante Nitridacion.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Se describe un metodo consistente en la obtencion de peliculas de nitruro de galio (GaN) mediante el calentamiento de obleas de arseniuro de galio (GaAs) en atmosfera combinada de amoniaco (NH3) e hidrogeno a alta temperatura y presiones bajas. Con este metodo pueden obtenerse facilmente peliculas de GaN con propiedades adecuadas para utilizarse como semiconductores.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

PA/a/2004/004036

Fecha de Presentación:

29-04-2004

Clasificación:

C01G15/00 (2006-01)

Solicitante(s):

Inventor(es):

ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRIA, VICTOR M. SANCHEZ RESENDIZ, Av. I.P.N. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07360, Ciudad de México, MEXICO

Información Adicional

La patente "Método para la obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación" es un importante avance en la fabricación de materiales semiconductores de alta calidad. El nitruro de galio es un material semiconductor que se utiliza en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta frecuencia, como los transistores de potencia y los diodos emisores de luz (LED). La calidad de las películas de nitruro de galio es esencial para el rendimiento de estos dispositivos. El método patentado utiliza arseniuro de galio como material de partida y lo convierte en nitruro de galio mediante un proceso de nitridación. Este proceso se lleva a cabo en un horno de tubo de cuarzo a una temperatura de entre 900 y 1100 grados Celsius y bajo una atmósfera de gas de nitrógeno. El proceso de nitridación es crítico para la calidad de las películas de nitruro de galio resultantes. El método patentado utiliza una técnica de nitridación por plasma para mejorar la uniformidad y la pureza de las películas. Esto se logra mediante la generación de un plasma de nitrógeno en el horno de tubo de cuarzo, que reacciona con el arseniuro de galio para producir nitruro de galio. El método patentado también permite la producción de películas de nitruro de galio de diferentes espesores y composiciones, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones en la industria electrónica. En resumen, la patente "Método para la obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación" es un importante avance en la fabricación de materiales semiconductores de alta calidad. Este método permite la producción de películas de nitruro de galio de alta pureza y uniformidad, lo que es esencial para el rendimiento de los dispositivos electrónicos modernos.

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