Metodo Para La Obtencion De Peliculas De Nitruro De Galio Por Conversion De Arseniuro De Galio Mediante Nitridacion.
La patente "Método para la obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación" es un importante avance en la fabricación de materiales semiconductores de alta calidad.
El nitruro de galio es un material semiconductor que se utiliza en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta frecuencia, como los transistores de potencia y los diodos emisores de luz (LED). La calidad de las películas de nitruro de galio es esencial para el rendimiento de estos dispositivos.
El método patentado utiliza arseniuro de galio como material de partida y lo convierte en nitruro de galio mediante un proceso de nitridación. Este proceso se lleva a cabo en un horno de tubo de cuarzo a una temperatura de entre 900 y 1100 grados Celsius y bajo una atmósfera de gas de nitrógeno.
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El proceso de nitridación es crítico para la calidad de las películas de nitruro de galio resultantes. El método patentado utiliza una técnica de nitridación por plasma para mejorar la uniformidad y la pureza de las películas. Esto se logra mediante la generación de un plasma de nitrógeno en el horno de tubo de cuarzo, que reacciona con el arseniuro de galio para producir nitruro de galio.
El método patentado también permite la producción de películas de nitruro de galio de diferentes espesores y composiciones, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones en la industria electrónica.
En resumen, la patente "Método para la obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación" es un importante avance en la fabricación de materiales semiconductores de alta calidad. Este método permite la producción de películas de nitruro de galio de alta pureza y uniformidad, lo que es esencial para el rendimiento de los dispositivos electrónicos modernos.
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Descripcion: Se describe un metodo consistente en la obtencion de peliculas de nitruro de galio (GaN) mediante el calentamiento de obleas de arseniuro de galio (GaAs) en atmosfera combinada de amoniaco (NH3) e hidrogeno a alta temperatura y presiones bajas. Con este metodo pueden obtenerse facilmente peliculas de GaN con propiedades adecuadas para utilizarse como semiconductores.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Metodo Para La Obtencion De Peliculas De Nitruro De Galio Por Conversion De Arseniuro De Galio Mediante Nitridacion. en México
Solicitud: PA/a/2004/004036
Fecha de Presentacion: 2004-04-29
Solicitante(s):
Inventor(es): ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRIA, VICTOR M. SANCHEZ RESENDIZ, Av. I.P.N. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07360, Ciudad de México, MEXICO
Clasificacion: C01G15/00 (2006-01) referente a Metodo Para La Obtencion De Peliculas De Nitruro De Galio Por Conversion De Arseniuro De Galio Mediante Nitridacion.