Metodo De Hacer Aleaciones Semiconductoras Amorfas Y Dispositivos Que Usan Energia De Microondas
Las aleaciones semiconductores amorfos son materiales de gran importancia en la industria electrónica debido a sus propiedades únicas, que les permiten ser utilizados en una amplia variedad de dispositivos. Sin embargo, su producción es un proceso complejo que requiere de una gran cantidad de energía y tiempo.
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Es por eso que se ha desarrollado un método innovador para hacer aleaciones semiconductores amorfos utilizando energía de microondas. Esta patente describe un proceso que permite la producción de aleaciones semiconductores amorfos de manera más eficiente y con menos energía que los métodos tradicionales.
El proceso de producción se lleva a cabo utilizando un horno de microondas que genera una energía de alta frecuencia que se aplica a una mezcla de materiales que se encuentran en un recipiente cerrado. La energía de microondas se utiliza para calentar y fundir los materiales, lo que permite la formación de la aleación semiconductora amorfos.
La ventaja de este método es que la energía de microondas se aplica directamente a la mezcla de materiales, lo que permite que se caliente de manera uniforme y en un tiempo mucho más corto que los métodos tradicionales. Además, este método también permite una mayor precisión en la composición de la aleación, lo que puede mejorar las propiedades de los dispositivos que se fabrican con ella.
Los dispositivos que utilizan aleaciones semiconductores amorfos son muy diversos, desde células solares hasta pantallas de televisión. Gracias a este nuevo método de producción, se espera que la producción de estos dispositivos sea más eficiente y económica, lo que podría llevar a una mayor adopción de estas tecnologías en el mercado.
En conclusión, este método de producción de aleaciones semiconductores amorfos utilizando energía de microondas es una innovación importante en la industria electrónica. Su eficiencia energética y mayor precisión en la composición de la aleación pueden tener un impacto significativo en el desarrollo de dispositivos electrónicos más avanzados y económicos.
Algunas patentes que relacionadas son: * MEJORAS A SISTEMA DE MONTAJE DE PROTECCION PARA ESMERILADORAS Y SIMILARES
* MEJORAS EN PANEL ESTRUCTURAL PARA LA CONSTRUCCION DE MUROS DIVISORIOS Y SIMILARES
* MEJORAS EN DETECTOR DE DESCARGA DISRUPTIVA
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* MODELO DE CAPSULA PARA ESTERILIZACOIN DE INSTRUMENTAL ENDODONTICO.
* MODELO DE BOLSA TEJIDA PARA MASAJE.
* MODELO DE TABLERO PARA JUEGO DE SALON.
Descripcion: La presente invencion se refiere a un proceso para depositar peliculas de aleacion semiconductora amorfa sobre un sustrato, caracterizado por: proveer una fuente de enrgia de microondas; vincular la energia de microondas en un recipiente de reaccion sustancialmente encerrado conteniendo al sustrato; e introducir gases de reaccion sustancialmente encerrado conteniendo al sustrato; e introducir gases de reaccion en el recipiente, los gases incluyendo al menos un compuesto que tiene un semiconductor, para formar un plasma de descarga de brillo dentro del recipiente y depositar una pelicula semiconductora amorfa a partir de los gases de reaccion den el sustrato.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Metodo De Hacer Aleaciones Semiconductoras Amorfas Y Dispositivos Que Usan Energia De Microondas en México
Solicitud: 198815
Fecha de Presentacion: 1983-09-23
Solicitante(s):
Inventor(es): ANOTNIO DE PEDRO ANTUNA, MX
Clasificacion: C23C-010/00 referente a Metodo De Hacer Aleaciones Semiconductoras Amorfas Y Dispositivos Que Usan Energia De Microondas