Metodo Para La Fabricacion De Celdas Solares De Silicio Cristalino Con Pasivacion De Superficie Mejorada.
En el mundo actual, la energía solar se ha convertido en una de las fuentes de energía renovable más importantes. A medida que la tecnología ha avanzado, la eficiencia de las células solares de silicio cristalino ha mejorado significativamente. Sin embargo, aún hay espacio para mejorar la eficiencia de estas células solares. Una de las formas de hacerlo es mejorar la pasivación de superficie de las células solares de silicio cristalino.
La patente "Método para la fabricación de células solares de silicio cristalino con pasivación de superficie mejorada" describe un proceso para mejorar la eficiencia de las células solares de silicio cristalino mediante la pasivación de la superficie. La pasivación de la superficie es un proceso que reduce la cantidad de electrones que se recombina en la superficie de una célula solar. Esto aumenta la eficiencia de la célula solar, lo que significa que puede producir más energía a partir de la misma cantidad de luz solar.
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El método descrito en la patente implica la utilización de una capa de óxido de silicio ultrafino en la superficie de la célula solar de silicio cristalino. La capa de óxido de silicio ultrafino actúa como una barrera para evitar que los electrones se recombinen en la superficie de la célula solar. El proceso de fabricación de la célula solar implica la deposición de la capa de óxido de silicio ultrafino utilizando una técnica de deposición de capa atómica (ALD). Esta técnica de deposición de capa atómica es altamente precisa y permite la deposición de capas extremadamente delgadas y uniformes.
La patente también describe un proceso para activar la capa de óxido de silicio ultrafino utilizando una técnica de tratamiento térmico. Este tratamiento térmico activa la capa de óxido de silicio ultrafino y mejora aún más la eficiencia de la célula solar de silicio cristalino.
En resumen, la patente "Método para la fabricación de células solares de silicio cristalino con pasivación de superficie mejorada" describe un proceso para mejorar la eficiencia de las células solares de silicio cristalino mediante la pasivación de la superficie utilizando una capa de óxido de silicio ultrafino y un tratamiento térmico. Este proceso tiene el potencial de mejorar significativamente la eficiencia de las células solares de silicio cristalino, lo que podría tener un impacto positivo en la adopción de la energía solar como fuente de energía renovable.
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Descripcion: La presente invencion proporciona un metodo para la fabricacion de una celda solar de silicio cristalino que comprende: -proporcionar un sustrato de silicio cristalino que tiene un lado frontal y un lado posterior; -formar una pelicula delgada de oxido de silicio sobre, por lo menos, el lado frontal y el lado posterior al remojar el sustrato de silicio cristalino en una solucion quimica; -formar una pelicula de recubrimiento dielectrico sobre dicha pelicula delgada de oxido de silicio en, por lo menos, uno de los lados frontal y posterior. La pelicula delgada de oxido de silicio puede ser formada con un grosor de 0.5-10nm. Al formar la capa de oxido que utiliza una solucion quimica, es posible formar una pelicula delgada de oxido para la pasivacion de superficie en donde la temperatura relativamente baja evita el deterioro de las capas semiconductoras.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Metodo Para La Fabricacion De Celdas Solares De Silicio Cristalino Con Pasivacion De Superficie Mejorada. en México
Solicitud: MX/a/2009/003195
Fecha de Presentacion: 2009-03-25
Solicitante(s): ECN ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND; 3 Westerduinweg, NL-1755, Le Petten, PAISES BAJOS
Inventor(es): YUJI KOMATSU, JOHAN LAMBERT GEERLIGS, DAN VALENTIN MIHAILETCHI, 12 Jan Van Goyenstraat, NL-1816, EE Alkmaar, PAISES BAJOS
Clasificacion: H01L31/18 (2006-01), H01L31/0216 (2006-01) referente a Metodo Para La Fabricacion De Celdas Solares De Silicio Cristalino Con Pasivacion De Superficie Mejorada.