Metodo Para Depositar Capas Electricamente Aislantes.
En la industria de la electrónica, es común la necesidad de depositar capas eléctricamente aislantes sobre diferentes materiales conductores. Esto puede ser para proteger los componentes electrónicos, para mejorar la resistencia eléctrica o simplemente para crear un diseño específico.
Existen varios métodos para depositar estas capas aislantes, pero en este artículo nos enfocaremos en uno de los más utilizados: el método de deposición por plasma.
El proceso de deposición por plasma se basa en la creación de un plasma, que es un gas ionizado con una alta energía. Este plasma se genera mediante la aplicación de un campo eléctrico de alta frecuencia a un gas a baja presión. Cuando se aplica este campo eléctrico, los átomos del gas se ionizan y se convierten en iones y electrones. Estos iones y electrones se mueven a alta velocidad y colisionan con los átomos del gas, creando un plasma.
Una vez creado el plasma, se introduce el material sobre el cual se desea depositar la capa aislante. Este material puede ser un sustrato de silicio, vidrio, metal u otro material conductor. El plasma reacciona con el material conductor y deposita una capa aislante sobre él. La capa aislante se forma a partir de los gases que componen el plasma, que se combinan y se solidifican sobre la superficie del sustrato.
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Una de las ventajas del método de deposición por plasma es que se pueden controlar las propiedades de la capa aislante, como su espesor, su uniformidad y su composición química. Además, este método es muy útil para depositar capas aislantes sobre sustratos con formas complejas, ya que el plasma puede llegar a todas las partes del sustrato.
En conclusión, el método de deposición por plasma es una técnica muy útil para depositar capas aislantes sobre materiales conductores en la industria de la electrónica. Este método permite controlar las propiedades de la capa aislante y es útil para sustratos con formas complejas. Si necesita depositar capas aislantes en sus productos electrónicos, este método puede ser una excelente opción.
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Descripcion: La invencion se refiere a un pprocedimiento para activar una fuente de arco, en la cual se produce o aplica una descarga de chispas en una superficie de un objetivo (5), y la descarga de chispas simultaneamente se alimenta con una corriente directa, a la cual esta asignada una tencion a CD, como tambien una corriente de pulsos producida mediante una señal de tension aplicada periodicamente. La tension en la fuente de arco se eleva durante varios microsegundos o la forma de la señal de la señal de tension esencialmente se selecciona libremente.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Metodo Para Depositar Capas Electricamente Aislantes. en México
Solicitud: MX/a/2010/004851
Fecha de Presentacion: 2010-04-30
Solicitante(s): OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH; c/o Oerlikon Balzers AG, Hauptstrasse, CH-9477, Trübbach, SUIZA
Inventor(es): CHRISTIAN WOHLRAB, JUERGEN RAMM, Muehlebuendtestrasse 12, CH-7304, Maienfeld, SUIZA
Clasificacion: H01J37/32 (2006-01), C23C14/32 (2006-01) referente a Metodo Para Depositar Capas Electricamente Aislantes.