Metodo Para Depositar Capas Electricamente Aislantes.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

La invencion se refiere a un pprocedimiento para activar una fuente de arco, en la cual se produce o aplica una descarga de chispas en una superficie de un objetivo (5), y la descarga de chispas simultaneamente se alimenta con una corriente directa, a la cual esta asignada una tencion a CD, como tambien una corriente de pulsos producida mediante una señal de tension aplicada periodicamente. La tension en la fuente de arco se eleva durante varios microsegundos o la forma de la señal de la señal de tension esencialmente se selecciona libremente.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2010/004851

Fecha de Presentación:

30-04-2010

Clasificación:

H01J37/32 (2006-01), C23C14/32 (2006-01)

Solicitante(s):

OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH; c/o Oerlikon Balzers AG, Hauptstrasse, CH-9477, Trübbach, SUIZA

Inventor(es):

CHRISTIAN WOHLRAB, JUERGEN RAMM, Muehlebuendtestrasse 12, CH-7304, Maienfeld, SUIZA

Información Adicional

En la industria de la electrónica, es común la necesidad de depositar capas eléctricamente aislantes sobre diferentes materiales conductores. Esto puede ser para proteger los componentes electrónicos, para mejorar la resistencia eléctrica o simplemente para crear un diseño específico. Existen varios métodos para depositar estas capas aislantes, pero en este artículo nos enfocaremos en uno de los más utilizados: el método de deposición por plasma. El proceso de deposición por plasma se basa en la creación de un plasma, que es un gas ionizado con una alta energía. Este plasma se genera mediante la aplicación de un campo eléctrico de alta frecuencia a un gas a baja presión. Cuando se aplica este campo eléctrico, los átomos del gas se ionizan y se convierten en iones y electrones. Estos iones y electrones se mueven a alta velocidad y colisionan con los átomos del gas, creando un plasma. Una vez creado el plasma, se introduce el material sobre el cual se desea depositar la capa aislante. Este material puede ser un sustrato de silicio, vidrio, metal u otro material conductor. El plasma reacciona con el material conductor y deposita una capa aislante sobre él. La capa aislante se forma a partir de los gases que componen el plasma, que se combinan y se solidifican sobre la superficie del sustrato. Una de las ventajas del método de deposición por plasma es que se pueden controlar las propiedades de la capa aislante, como su espesor, su uniformidad y su composición química. Además, este método es muy útil para depositar capas aislantes sobre sustratos con formas complejas, ya que el plasma puede llegar a todas las partes del sustrato. En conclusión, el método de deposición por plasma es una técnica muy útil para depositar capas aislantes sobre materiales conductores en la industria de la electrónica. Este método permite controlar las propiedades de la capa aislante y es útil para sustratos con formas complejas. Si necesita depositar capas aislantes en sus productos electrónicos, este método puede ser una excelente opción.

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