Esquema De Linea De Bit De Precarga A Nivel De Suelo Para Operacion De Lectura En Memoria De Acceo Aleatorio Magnetoresistiva De Torsion Por Transferencia De Rotacion.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Se describen sistemas, circuitos y metodos para operaciones de lectura en Memoria de Acceso Aleatorio Magnetoresistiva de Torsion por Transferencia de Rotacion (STT-MRAM); se proporciona una pluralidad de celulas de bits, cada una acoplada a una de una pluralidad de lineas de bits, lineas de palabras y lineas fuente; una pluralidad de transistores de precarga correspondiente a una de la pluralidad de lineas de bits esta configurada para descargar las lineas de bits al suelo antes de una operacion de lectura.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2010/004187

Fecha de Presentación:

16-04-2010

Clasificación:

G11C11/16 (2006-01)

Solicitante(s):

QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.

Inventor(es):

SEI SEUNG YOON, SEUNG H. KANG, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.

Información Adicional

La tecnología de memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM) ha sido objeto de investigación y desarrollo durante varios años. Una de las principales ventajas de la MRAM es su capacidad para retener datos sin necesidad de energía externa, lo que la hace ideal para su uso en dispositivos móviles y otros dispositivos que requieren un bajo consumo de energía. Una de las principales innovaciones en la tecnología MRAM es el esquema de línea de bit de precarga a nivel de suelo para operación de lectura. Este esquema utiliza una técnica de transferencia de rotación de torsión para leer datos en una matriz de MRAM. El esquema de línea de bit de precarga a nivel de suelo para operación de lectura se compone de dos partes principales. La primera parte es la línea de bits, que es una serie de conductores que conectan los elementos de memoria individuales en la matriz de MRAM. La segunda parte es el circuito de precarga, que se encarga de establecer el estado inicial de los elementos de memoria antes de que se realice la operación de lectura. La transferencia de rotación de torsión es una técnica que se utiliza para leer la información almacenada en los elementos de memoria de MRAM. Esta técnica implica la aplicación de un campo magnético giratorio que induce una rotación de torsión en los elementos de memoria. La rotación de torsión se detecta como un cambio en la resistencia eléctrica de los elementos de memoria, lo que permite la lectura de los datos almacenados. El esquema de línea de bit de precarga a nivel de suelo para operación de lectura ofrece varias ventajas en comparación con otros enfoques de lectura de MRAM. En primer lugar, el esquema es más eficiente en términos de energía, ya que utiliza una técnica de precarga para establecer el estado inicial de los elementos de memoria. En segundo lugar, la técnica de transferencia de rotación de torsión proporciona una mayor estabilidad de lectura y una mayor velocidad de operación. En conclusión, el esquema de línea de bit de precarga a nivel de suelo para operación de lectura es una innovación importante en la tecnología MRAM. Este enfoque utiliza una técnica de transferencia de rotación de torsión para leer datos en una matriz de MRAM, lo que ofrece una mayor eficiencia energética, estabilidad de lectura y velocidad de operación. Con esta tecnología, se espera que la MRAM se convierta en una alternativa viable a las tecnologías de memoria existentes en el mercado.

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