Dispositivo De Union Magnetica En Forma De Tunel Con Vias De Lectura Y Escritura Separadas.
Los dispositivos de unión magnética en forma de túnel son una tecnología innovadora que ha revolucionado la forma en que almacenamos y accedemos a la información en dispositivos electrónicos. Estos dispositivos utilizan la propiedad del túnel cuántico para leer y escribir datos en una capa de material magnético ultrafino. Además, las vías de lectura y escritura separadas permiten una mayor eficiencia y velocidad en el acceso a la información.
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La tecnología de unión magnética en forma de túnel se utiliza en la mayoría de los dispositivos de almacenamiento de datos modernos, como discos duros, unidades flash y tarjetas de memoria. La capacidad de almacenamiento de estos dispositivos se ha incrementado significativamente gracias a esta tecnología, permitiendo a los usuarios almacenar más información en un espacio más pequeño.
Una de las principales ventajas de los dispositivos de unión magnética en forma de túnel es su alta velocidad de lectura y escritura. Las vías separadas permiten que la lectura y escritura de datos se realice simultáneamente, lo que mejora significativamente la velocidad de acceso a la información. Además, esta tecnología también es muy resistente y duradera, lo que la hace ideal para dispositivos portátiles.
Otra ventaja de los dispositivos de unión magnética en forma de túnel es su bajo consumo de energía. A diferencia de los dispositivos mecánicos, que requieren una gran cantidad de energía para funcionar, los dispositivos de unión magnética en forma de túnel utilizan una cantidad mínima de energía, lo que los hace ideales para dispositivos móviles y portátiles.
En conclusión, la tecnología de unión magnética en forma de túnel con vías de lectura y escritura separadas es una tecnología innovadora que ha mejorado significativamente la forma en que almacenamos y accedemos a la información en dispositivos electrónicos. Esta tecnología ofrece una alta velocidad de lectura y escritura, una mayor eficiencia en el acceso a la información, y un bajo consumo de energía, lo que la hace ideal para dispositivos portátiles y móviles.
Algunas patentes que relacionadas son: * DISPOSITIVO DE MRAM CON LINEA FUENTE COMPARTIDA.
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Descripcion: En una modalidad, se describe un dispositivo que incluye una estructura e union magnetica en forma de tunel (MTJ). El dispositivo tambien incluye una via (102) de lectura acoplada con la estructura MTJ y una via (104) de escritura acoplada con la estructura MTJ. La via (104) de escritura se encuentra separada de la via (102) de lectura. En esencia, el dispositivo comprende un par de estructuras (106, 108) MTJ acopladas en serie, por medio de las cuales, la via de lectura solo comprende una estructura (108) MTJ. Esto proporciona un margen de lectura mejorado y un margen de escritura mejorado en combinacion.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Dispositivo De Union Magnetica En Forma De Tunel Con Vias De Lectura Y Escritura Separadas. en México
Solicitud: MX/a/2010/006977
Fecha de Presentacion: 2010-06-21
Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.
Inventor(es): SEUNG H. KANG, XIAOCHUN ZHU, SHIQUN GU, XIA LI, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.
Clasificacion: G11C11/16 (2006-01) referente a Dispositivo De Union Magnetica En Forma De Tunel Con Vias De Lectura Y Escritura Separadas.