Dispositivo De Mram Con Linea Fuente Compartida.
La tecnología MRAM (Magnetic Random Access Memory) ha sido objeto de numerosas investigaciones y desarrollos en los últimos años, gracias a sus características únicas en cuanto a velocidad, eficiencia energética y durabilidad. Uno de los avances más recientes en este campo ha sido el desarrollo de dispositivos de MRAM con línea fuente compartida, que ofrecen importantes mejoras en cuanto a densidad de almacenamiento y velocidad de acceso.
En un dispositivo de MRAM convencional, cada celda de memoria está conectada a una línea de bit y una línea de palabra, lo que limita la densidad de almacenamiento y la velocidad de acceso. En cambio, en un dispositivo de MRAM con línea fuente compartida, varias celdas de memoria comparten una sola línea de fuente, lo que permite una mayor densidad de almacenamiento y una velocidad de acceso más rápida.
Además, los dispositivos de MRAM con línea fuente compartida también se benefician de una mayor eficiencia energética, ya que requieren menos líneas de alimentación y menos elementos de decodificación. Esto los convierte en una opción atractiva para aplicaciones de baja potencia, como dispositivos móviles y sistemas embebidos.
Sin embargo, los dispositivos de MRAM con línea fuente compartida también presentan algunos desafíos en cuanto a la programación y lectura de las celdas de memoria. Es necesario asegurar que las señales de entrada y salida no interfieran entre sí, lo que requiere una cuidadosa planificación y diseño.
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En resumen, los dispositivos de MRAM con línea fuente compartida representan un importante avance en la tecnología de memoria no volátil, ofreciendo una mayor densidad de almacenamiento, velocidad de acceso y eficiencia energética. Si bien presentan algunos desafíos técnicos, se espera que su uso se extienda en una amplia gama de aplicaciones en los próximos años.
Algunas patentes que relacionadas son: * DISPOSITIVO PARA LIMPIAR DEPOSITOS DE INODORO Y ELEMENTO DE LIMPIEZA DESECHABLE PARA EL MISMO.
* VALVULA CON AUXILIAR DE ACIONAMIENTO.
* TRATAMIENTOS DE CANCER TERAPEUTICOS.
* PROCEDIMIENTO PARA REFINACION DE ACEITE COMESTIBLE UTILIZANDO UNA LIPIDO ACILTRANSFERASA.
* PROCESO PARA LA SiNTESIS DE 3-AMINO-3-CICLOBUTILMETIL-2-HIDROXIPROPIONAMIDA O SUS SALES.
* AGONISTAS DEL RECEPTOR GLUCOCORTICOIDE SUSTITUIDO DE C20-C21.
* TIOeTERES C-21 COMO AGONISTA DEL RECEPTOR DE GLUCOCORTICOIDES.
Descripcion: En una modalidad particular, un dispositivo de memoria incluye una primera celda de memoria y una segunda celda de memoria. El dispositivo de memoria tambien incluye una primera linea de bits asociada con la primera celda de memoria y una segunda linea de bits asociada con la segunda celda de memoria. El dispositivo de memoria tambien incluye una linea fuente acoplada con la primera celda de memoria y acoplada con la segunda celda de memoria. La celda de memoria puede estar formada por celdas de memoria magnetoresistivas de transferencia de torsion de giro que tienen transistores de efecto de campo de seleccion. La celda de memoria tambien puede formarse como pares de celdas complementarias. Se proporcionan celdas con media seleccion con o a trave de estas para impedir la interrupcion de lectura.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Dispositivo De Mram Con Linea Fuente Compartida. en México
Solicitud: MX/a/2010/006978
Fecha de Presentacion: 2010-06-21
Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.
Inventor(es): CHENG ZHONG, SEI SEUNG YOON, DONGKYU PARK, MOHAMED H. ABU-RAHMA, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.
Clasificacion: G11C11/16 (2006-01) referente a Dispositivo De Mram Con Linea Fuente Compartida.