Detector De Silicio Que Extiende La Sensibilidad De Silicio Desde 200 Y Hasta 1100 Nm Con Alta Eficiencia.
Cada vez es más común encontrar dispositivos electrónicos que utilizan la tecnología de detección de luz para su funcionamiento. Desde cámaras de seguridad hasta sistemas de navegación en automóviles, los detectores de luz se han vuelto fundamentales en muchos aspectos de nuestra vida cotidiana. Sin embargo, la sensibilidad de los detectores de luz tradicionales se limita a un rango específico de longitudes de onda, lo que implica que no pueden detectar ciertos tipos de luz.
Es por eso que el desarrollo de un detector de silicio que extiende la sensibilidad de silicio desde 200 y hasta 1100 nm con alta eficiencia es una noticia tan importante. Este dispositivo es capaz de detectar una amplia gama de longitudes de onda, lo que lo hace ideal para aplicaciones en las que se requiere una detección precisa y completa de la luz.
El detector de silicio funciona mediante la absorción de la luz por parte de los electrones presentes en el material. Cuando la luz golpea el detector, los electrones se excitan y se liberan, lo que crea una corriente eléctrica que se puede medir. La eficiencia del detector se mide en términos de la cantidad de electrones que se liberan en respuesta a la luz que incide en el material.
La sensibilidad extendida del detector de silicio significa que puede detectar longitudes de onda que antes no eran detectables con los detectores de luz tradicionales. Esto permite una mayor precisión en aplicaciones como la espectroscopía, la identificación de materiales y la investigación científica en general.
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Además, la alta eficiencia del detector de silicio significa que puede detectar incluso la luz más débil con una gran precisión. Esto lo hace ideal para aplicaciones en las que se requiere una detección precisa de la luz en condiciones de poca luz.
En resumen, el desarrollo del detector de silicio que extiende la sensibilidad de silicio desde 200 y hasta 1100 nm con alta eficiencia es una noticia emocionante para la industria de la detección de luz. Este dispositivo ofrece una mayor precisión y sensibilidad en aplicaciones en las que se requiere una detección precisa de la luz, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones científicas y tecnológicas.
Algunas patentes que relacionadas son: * CONSTRUCCION DE INVERNADERO CON SISTEMA DE RIELES.
* SISTEMA DE ESTACION DE AISLAMIENTO DE CONECTOR.
* EXPANSION DE PROTOCOLO DE UN MENSAJE DE SEÑALIZACION.
* SENSOR DE CAMPO MAGNETICO.
* PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO POR INMERSION EN BAÑO FUNDIDO DE UNA BANDA DE METAL.
* BARRA DE LUZ Y METODO PARA FABRICARLA.
* METODOS Y COMPOSICIONES PARA ACIDIFICACION EN UN POZO.
Descripcion: La presente invencion se refiere a un detector de radiacion desde el ultravioleta hasta el cercano infrarrojo de alta eficiencia en silicio el cual comprende una estructura con un ancho espectral que opera en la region ultravioleta, caracterizado en que dicha estructura esta conformada por un fotodetector de silicio en el rango visible y sobrepuesto sobre el mismo una pelicula de SiOx depositado por LPCVD con exceso de silicio entre 3 y 10% y recosido a 1100°C durante 30 y hasta 360 minutos.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Detector De Silicio Que Extiende La Sensibilidad De Silicio Desde 200 Y Hasta 1100 Nm Con Alta Eficiencia. en México
Solicitud: MX/a/2007/015027
Fecha de Presentacion: 2007-11-21
Solicitante(s):
Inventor(es): LUIS RAUL BERRIEL VALDOS, DAINET BERMAN MENDOZA, CARLOS DOMINGUEZ HORNA, MARIANO ACEVES MIJARES, Luis Enrique Erro No. 1, Tonantzintla, Puebla Meciso, MEXICO
Clasificacion: G01T1/04 (2006-01) referente a Detector De Silicio Que Extiende La Sensibilidad De Silicio Desde 200 Y Hasta 1100 Nm Con Alta Eficiencia.