Deposito De Vapor Quimico A La Presion Atmosferica.
El depósito de vapor químico a la presión atmosférica es una patente innovadora que ha revolucionado la industria química. Este sistema permite la deposición de capas delgadas de material en superficies, utilizando un proceso químico y físico que se lleva a cabo a temperatura ambiente y presión atmosférica normal.
En términos simples, el depósito de vapor químico a la presión atmosférica es un proceso de recubrimiento de superficies que se realiza mediante la vaporización de un material y su posterior deposición en la superficie deseada. Este proceso se lleva a cabo en un ambiente controlado, donde el material se calienta hasta su punto de vaporización y luego se deposita sobre la superficie a través de un proceso de condensación.
Este sistema es especialmente útil para la fabricación de dispositivos electrónicos, ya que permite la deposición de capas delgadas de materiales como el silicio y el germanio, entre otros. Además, el proceso es rápido y eficiente, lo que lo hace ideal para la producción en masa de componentes electrónicos.
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Uno de los principales beneficios del depósito de vapor químico a la presión atmosférica es su capacidad para crear capas uniformes y de alta calidad. Esto se debe a que el proceso se lleva a cabo en un ambiente controlado, lo que minimiza las posibilidades de contaminación y otros problemas que pueden afectar la calidad del recubrimiento.
Otro beneficio importante de este sistema es su versatilidad. Puede utilizarse para recubrir una amplia variedad de superficies, desde materiales metálicos hasta plásticos y cerámicas. Además, el proceso puede adaptarse para recubrir superficies de diferentes formas y tamaños, lo que lo hace ideal para la fabricación de componentes electrónicos complejos.
En resumen, el depósito de vapor químico a la presión atmosférica es una patente innovadora que ha revolucionado la industria química. Su capacidad para crear capas uniformes y de alta calidad, así como su versatilidad, lo hacen ideal para la fabricación de componentes electrónicos y otros productos que requieren un recubrimiento de alta calidad. Sin duda, esta patente tiene un gran potencial para seguir evolucionando y mejorando la producción de componentes electrónicos en el futuro.
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Descripcion: Un proceso para recubrir un substrato a la presion atmosferica comprende las etapas de vaporizar una masa controlada de un material semiconductor, sustancialmente a la presion atmosferica, dentro de una corriente de gas inerte calentado, para crear una mezcla de fluido que tiene una temperatura mayor que la temperatura de condensacion del material semiconductor, dirigir la mezcla fluida, sustancialmente la presion atmosferica, sobre un substrato, que tiene una temperatura debajo de la temperatura de condensacion del material semiconductor y depositar una capa de este material semiconductor sobre la superficie del substrato.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Deposito De Vapor Quimico A La Presion Atmosferica. en México
Solicitud: MX/a/2007/001909
Fecha de Presentacion: 2007-02-15
Solicitante(s):
Inventor(es): JOHNSTON, NORMAN, W., KORMANYOS, KENNETH, R., REITER, NICHOLAS, A., 25859 Willowbend, 43551, Perrysburg, Ohio, E.U.A.
Clasificacion: B05D5/12 (2006-01), B28D5/00 (2006-01), G01R31/26 (2006-01), H01L21/44 (2006-01) referente a Deposito De Vapor Quimico A La Presion Atmosferica.