Deposito De Vapor Quimico A La Presion Atmosferica.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Un proceso para recubrir un substrato a la presion atmosferica comprende las etapas de vaporizar una masa controlada de un material semiconductor, sustancialmente a la presion atmosferica, dentro de una corriente de gas inerte calentado, para crear una mezcla de fluido que tiene una temperatura mayor que la temperatura de condensacion del material semiconductor, dirigir la mezcla fluida, sustancialmente la presion atmosferica, sobre un substrato, que tiene una temperatura debajo de la temperatura de condensacion del material semiconductor y depositar una capa de este material semiconductor sobre la superficie del substrato.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2007/001909

Fecha de Presentación:

15-02-2007

Clasificación:

B05D5/12 (2006-01), B28D5/00 (2006-01), G01R31/26 (2006-01), H01L21/44 (2006-01)

Solicitante(s):

Inventor(es):

JOHNSTON, NORMAN, W., KORMANYOS, KENNETH, R., REITER, NICHOLAS, A., 25859 Willowbend, 43551, Perrysburg, Ohio, E.U.A.

Información Adicional

El depósito de vapor químico a la presión atmosférica es una patente innovadora que ha revolucionado la industria química. Este sistema permite la deposición de capas delgadas de material en superficies, utilizando un proceso químico y físico que se lleva a cabo a temperatura ambiente y presión atmosférica normal. En términos simples, el depósito de vapor químico a la presión atmosférica es un proceso de recubrimiento de superficies que se realiza mediante la vaporización de un material y su posterior deposición en la superficie deseada. Este proceso se lleva a cabo en un ambiente controlado, donde el material se calienta hasta su punto de vaporización y luego se deposita sobre la superficie a través de un proceso de condensación. Este sistema es especialmente útil para la fabricación de dispositivos electrónicos, ya que permite la deposición de capas delgadas de materiales como el silicio y el germanio, entre otros. Además, el proceso es rápido y eficiente, lo que lo hace ideal para la producción en masa de componentes electrónicos. Uno de los principales beneficios del depósito de vapor químico a la presión atmosférica es su capacidad para crear capas uniformes y de alta calidad. Esto se debe a que el proceso se lleva a cabo en un ambiente controlado, lo que minimiza las posibilidades de contaminación y otros problemas que pueden afectar la calidad del recubrimiento. Otro beneficio importante de este sistema es su versatilidad. Puede utilizarse para recubrir una amplia variedad de superficies, desde materiales metálicos hasta plásticos y cerámicas. Además, el proceso puede adaptarse para recubrir superficies de diferentes formas y tamaños, lo que lo hace ideal para la fabricación de componentes electrónicos complejos. En resumen, el depósito de vapor químico a la presión atmosférica es una patente innovadora que ha revolucionado la industria química. Su capacidad para crear capas uniformes y de alta calidad, así como su versatilidad, lo hacen ideal para la fabricación de componentes electrónicos y otros productos que requieren un recubrimiento de alta calidad. Sin duda, esta patente tiene un gran potencial para seguir evolucionando y mejorando la producción de componentes electrónicos en el futuro.

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