Deposicion De Iones Metalicos Encima De Las Superficies De Substratos Conductores.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

La presente invencion proporciona composiciones y procesos para preparar iones para deposicion en y/o en sustratos conductores, tales como metales para eliminar sustancialmente la friccion del metal al contacto del metal. Se usa en la modalidad acuosa para formar nuevas superficies de metal en todos sustratos de metal. Los procesos forman soluciones acuosas estables de iones de metal y metaloides que pueden adsorber o absorber en y/o en los sustratos conductores. Las soluciones acuosas consisten de sales de fosfato de metal alcalino de amonio y/o sales de sulfato de metal alcalino de amonio y/o sales de sulfato de metal alcalino de amonio mezcladas con una sal de metal soluble en agua o metaloide del grupo I hasta el grupo VIII de la tabla periodica de elementos. Las soluciones acuosas se permiten para una deposicion nano de los iones de metal encima y/o en las superficies de los sustratos conductores. Las superficies creadas por los iones de metal depositados proporcionaran la pasivacion del metal y eliminar sustancialmente la friccion en el contacto del metal al metal sin el uso de los lubricantes basados en hidrocarburos.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2009/013100

Fecha de Presentación:

02-12-2009

Clasificación:

C23C22/00 (2006-01), C23C22/05 (2006-01), C23C22/08 (2006-01)

Solicitante(s):

DFHS, LLC; 1960 Highway 33 South, Suite E, 35124, Pelham, Alabama, E.U.A.

Inventor(es):

FRANK G. DEFALCO, 2500 Old Farm Road, 77063, Houston, Texas, E.U.A.

Información Adicional

La deposición de iones metálicos encima de las superficies de substratos conductores es un proceso que se utiliza en múltiples aplicaciones industriales. Estos iones se depositan mediante técnicas de pulverización catódica o deposición química en fase vapor (CVD, por sus siglas en inglés) encima de los substratos conductores para crear películas delgadas de metal. Estas películas delgadas de metal se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, desde la fabricación de dispositivos electrónicos hasta la producción de materiales resistentes a la corrosión. Además, este proceso se utiliza en la fabricación de componentes para la industria aeroespacial y médica. La deposición de iones metálicos es un proceso altamente especializado que requiere una gran precisión y control. Esto se debe a que la calidad de la película delgada de metal depende de la uniformidad y la densidad de los iones depositados. Para lograr una deposición de iones metálicos de alta calidad, se utilizan técnicas avanzadas de control de procesos. Por ejemplo, se pueden utilizar técnicas de espectroscopía de emisión óptica para analizar la composición de los iones en el plasma y ajustar la tasa de deposición en tiempo real. Además, los substratos conductores deben ser preparados adecuadamente antes de la deposición de iones metálicos. Esto implica la eliminación de cualquier contaminación de la superficie y la creación de una superficie uniforme y limpia para la deposición. En resumen, la deposición de iones metálicos encima de las superficies de substratos conductores es un proceso crítico en la fabricación de una amplia variedad de productos industriales. La precisión y el control son fundamentales para lograr películas delgadas de metal de alta calidad, y las técnicas avanzadas de control de procesos son esenciales para lograr este objetivo.

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