Crisol Para La Cristalizacion De Silicio.
En el mundo de la tecnología, la cristalización de silicio es un proceso fundamental en la producción de los microchips que utilizamos en nuestra vida diaria. Este proceso permite la creación de capas delgadas de silicio que se utilizan para construir transistores y otros componentes electrónicos.
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Recientemente, se ha presentado una patente para un crisol de cristalización de silicio innovador que podría revolucionar la forma en que se produce el silicio en la industria de la tecnología. Este crisol utiliza un diseño único que permite una mayor eficiencia en el proceso de cristalización, lo que resulta en una producción más rápida y a menor costo.
El crisol para la cristalización de silicio presenta una estructura de doble pared que permite una mejor transferencia de calor y una mayor estabilidad térmica. Además, cuenta con un sistema de enfriamiento por agua que regula la temperatura dentro del crisol y evita la formación de impurezas en el silicio cristalizado.
Otra característica importante de este crisol es su diseño modular, que permite una fácil reparación y reemplazo de las partes necesarias. Esto reduce el tiempo de inactividad y aumenta la eficiencia de la producción.
En resumen, el crisol para la cristalización de silicio es una innovación que podría tener un gran impacto en la industria de la tecnología. Su diseño único y modular, junto con su sistema de enfriamiento por agua, lo hacen más eficiente y rentable que los crisoles tradicionales utilizados en la producción de silicio. Sin duda, esta patente es un avance significativo en el campo de la cristalización de silicio y podría cambiar la forma en que se producen los microchips en el futuro.
Algunas patentes que relacionadas son: * DERIVADOS DE TIAZOLOPIRIDINONA COMO ANTAGONISTAS DEL RECEPTOR MCH.
* DERIVADO DE 3-AMINOPIRROLIDINA TRISUSTITUIDO O TETRASUSTITUIDO.
* MODULADORES DEL RECEPTOR DE LA VITAMINA D.
* DERIVADOS SUSTITUIDOS DE OXA-DIAZA-ESPIRO-[5.5]-UNDECANONA Y SU USO COMO ANTAGONISTAS DE LA NEUROCININA.
* DISPOSITIVO DE INYECCION.
* 1-HETEROCICLIL-1,5-DIHIDRO-PIRIDO[3,2-B]INDOL-2-ONAS.
* UNA COMPOSICIoN BASADA EN PROTEINA DE SOYA uTIL COMO SUPLEMENTO ALIMENTICIO Y UN PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR LA MISMA
Descripcion: La invencion se refiere a un crisol para la cristalizacion de silicio y la preparacion y la aplicacion de recubrimientos antiadherentes para crisoles usados en la manipulacion de materiales fundidos que se solidifican en el crisol y a continuacion se retiran como lingotes, y ma particularmente a recubrimientos antiadherentes para crisoles utilizados en la solidificacion de silicio policristalino; el objetivo del presente inventor es proporcionar un crisol que no requiere de la preparacion de un recubrimiento muy grueso en las instalaciones del usuario final, que es ma facil y barato de producir y que presenta un efecto desmoldante mejorado y que permite la produccion de lingotes de silicio sin grietas; ahora se ha descubierto que estos problemas se pueden resolver con un crisol para la cristalizacion de silicio que comprende a) un cuerpo base que comprende una superficie inferior y paredes laterales que definen un volumen interior; b) una capa de sustrato que comprende entre el 80% y el 100% en peso de nitruro de silicio en la superficie de las paredes laterales que miran hacia el volumen interior; c) una capa intermedia que comprende entre el 50% y el 100% en peso de silice sobre la capa de sustrato y d) una capa superficial que comprende entre el 50% y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dioxido de silicio y hasta el 20% de silicio sobre la capa intermedia.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Crisol Para La Cristalizacion De Silicio. en México
Solicitud: MX/a/2008/000150
Fecha de Presentacion: 2008-01-07
Solicitante(s):
Inventor(es): RANCOULE, GILBERT, 12 Rue de Picardie, F-59700, Marcq-en Baroeul, FRANCIA
Clasificacion: C30B11/00 (2006-01), C30B15/10 (2006-01), C30B35/00 (2006-01) referente a Crisol Para La Cristalizacion De Silicio.