Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Las modalidades ejemplares proporcionan dispositivos semiconductores que incluyen nanoalambres del grupo III-N de calidad alta (esto es, libre de defectos) y configuraciones del nanoalambre del grupo III-N uniforme asi como sus procesos escalables para manufactura, donde la posicion, orientacion, caracteristicas en seccion transversal, longitud y cristalinidad de cada nanoalambre puede ser precisamente controlada. Un modo de crecimiento pulsado puede usarse para fabricar el nanoalambre del grupo III-N descrito y/o configuraciones del nanoalambre proporcionando una longitud uniforme de alrededor de 10 nm hasta alrededor de 1000 micrones con las caracteristicas en seccion transversal constantes incluyendo un diametro ejemplar de alrededor de 10-1000 nm. Adema, las estructuras del substrato GaN de calidad alta pueden formarse por coalescer la pluralidad del nanoalambre GaN y/o configuraciones del nanoalambre para facilitar la fabricacion de los LEDs visibles o laseres. Adema, las estructuras MW activas/nanoalambre de envolvente-nucleo pueden formarse por un crecimiento del envolvente-nucleo en las paredes laterales no polares de cada nanoalambre.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2008/011275

Fecha de Presentación:

03-09-2008

Clasificación:

H01L21/20 (2006-01), H01L31/0304 (2006-01)

Solicitante(s):

Inventor(es):

STEPHEN M. HERSEE, XIN WANG, XINYU SUN, 2425 Northwest Circle NW, 87104, Albuquerque, New Mexico, E.U.A.

Información Adicional

En la actualidad, la nanotecnología es un campo de estudio que ha ganado un gran interés en el mundo científico. En este contexto, el crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN se ha convertido en una técnica fundamental para la fabricación de materiales y dispositivos de sustrato semiconductor de nitruros del grupo III. Los nanoalambres de GaN son estructuras cilíndricas con diámetros que oscilan entre los 10 y los 100 nanómetros y longitudes que pueden superar los 10 micrómetros. Estas estructuras se caracterizan por tener propiedades electrónicas y ópticas únicas, lo que los hace ideales para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos, como diodos emisores de luz (LEDs) y fotodetectores. El crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN se basa en la utilización de pulsos cortos de gases de reacción que se alternan con periodos de purga. Esto permite el crecimiento de estructuras de alta calidad y tamaños controlados. Además, esta técnica permite la integración de diferentes materiales en los nanoalambres, lo que amplía su rango de aplicaciones. Entre las aplicaciones más destacadas de los nanoalambres de GaN, se encuentran los LEDs de alta eficiencia y los fotodetectores de alta sensibilidad. Además, estos materiales también se utilizan en la fabricación de dispositivos de alta frecuencia, como transistores de efecto de campo de alta movilidad y resonadores acústicos de superficie. En conclusión, el crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN es una técnica fundamental para la fabricación de materiales y dispositivos de sustrato semiconductor de nitruros del grupo III. Estos materiales tienen propiedades electrónicas y ópticas únicas, lo que los hace ideales para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos y de alta frecuencia. Por lo tanto, esta técnica tiene un gran potencial para impulsar la investigación y el desarrollo en el campo de la nanotecnología.

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