Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii.
En la actualidad, la nanotecnología es un campo de estudio que ha ganado un gran interés en el mundo científico. En este contexto, el crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN se ha convertido en una técnica fundamental para la fabricación de materiales y dispositivos de sustrato semiconductor de nitruros del grupo III.
Los nanoalambres de GaN son estructuras cilíndricas con diámetros que oscilan entre los 10 y los 100 nanómetros y longitudes que pueden superar los 10 micrómetros. Estas estructuras se caracterizan por tener propiedades electrónicas y ópticas únicas, lo que los hace ideales para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos, como diodos emisores de luz (LEDs) y fotodetectores.
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El crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN se basa en la utilización de pulsos cortos de gases de reacción que se alternan con periodos de purga. Esto permite el crecimiento de estructuras de alta calidad y tamaños controlados. Además, esta técnica permite la integración de diferentes materiales en los nanoalambres, lo que amplía su rango de aplicaciones.
Entre las aplicaciones más destacadas de los nanoalambres de GaN, se encuentran los LEDs de alta eficiencia y los fotodetectores de alta sensibilidad. Además, estos materiales también se utilizan en la fabricación de dispositivos de alta frecuencia, como transistores de efecto de campo de alta movilidad y resonadores acústicos de superficie.
En conclusión, el crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN es una técnica fundamental para la fabricación de materiales y dispositivos de sustrato semiconductor de nitruros del grupo III. Estos materiales tienen propiedades electrónicas y ópticas únicas, lo que los hace ideales para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos y de alta frecuencia. Por lo tanto, esta técnica tiene un gran potencial para impulsar la investigación y el desarrollo en el campo de la nanotecnología.
Algunas patentes que relacionadas son: * DERIVADOS DE DISULFURO, SULFURO, SULFOXIDO Y SULFONA DE AZUCARES CICLICOS Y SUS USOS.
* EFECTO SINERGICO DE LA ASOCIACION DE FITASAS SOBRE LA HIDROLISIS DEL ACIDO FITICO.
* POLIMEROS DE VINILO ANIONICO/ACIDO DICARBOXILICO Y USOS DE LOS MISMOS.
* RECIPIENTE, PREFORMA, ARTICULO DE CAPAS MULTIPLES RESISTENTE A DESLAMINACION Y METODO CON FORMULACIONES DE BARRERA DE OXIGENO.
* ARILCETONAS SUBSTITUIDAS.
* APARATO DE FILTRADO FINO DE DENSIDAD CONTROLABLE DE EMPACAMIENTO UTILIZANDO FIBRA FLEXIBLE.
* SISTEMA DE TRANSPORTE ELEVADO MAGNETICAMENTE.
Descripcion: Las modalidades ejemplares proporcionan dispositivos semiconductores que incluyen nanoalambres del grupo III-N de calidad alta (esto es, libre de defectos) y configuraciones del nanoalambre del grupo III-N uniforme asi como sus procesos escalables para manufactura, donde la posicion, orientacion, caracteristicas en seccion transversal, longitud y cristalinidad de cada nanoalambre puede ser precisamente controlada. Un modo de crecimiento pulsado puede usarse para fabricar el nanoalambre del grupo III-N descrito y/o configuraciones del nanoalambre proporcionando una longitud uniforme de alrededor de 10 nm hasta alrededor de 1000 micrones con las caracteristicas en seccion transversal constantes incluyendo un diametro ejemplar de alrededor de 10-1000 nm. Adema, las estructuras del substrato GaN de calidad alta pueden formarse por coalescer la pluralidad del nanoalambre GaN y/o configuraciones del nanoalambre para facilitar la fabricacion de los LEDs visibles o laseres. Adema, las estructuras MW activas/nanoalambre de envolvente-nucleo pueden formarse por un crecimiento del envolvente-nucleo en las paredes laterales no polares de cada nanoalambre.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii. en México
Solicitud: MX/a/2008/011275
Fecha de Presentacion: 2008-09-03
Solicitante(s):
Inventor(es): STEPHEN M. HERSEE, XIN WANG, XINYU SUN, 2425 Northwest Circle NW, 87104, Albuquerque, New Mexico, E.U.A.
Clasificacion: H01L21/20 (2006-01), H01L31/0304 (2006-01) referente a Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii.