Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii.
La tecnología de semiconductores ha experimentado un gran avance en las últimas décadas, gracias a la invención de nuevas técnicas y materiales que permiten la creación de dispositivos cada vez más pequeños y eficientes. Una de las últimas innovaciones en este campo es la patente de crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN, que tiene aplicaciones en materiales y dispositivos de sustrato semiconductor de nitruros del grupo III.
Los nanoalambres de GaN son estructuras cristalinas extremadamente delgadas, con un diámetro de solo unos pocos nanómetros, que se utilizan en la fabricación de dispositivos electrónicos y ópticos. La técnica de crecimiento pulsado permite crear estos nanoalambres con una precisión y uniformidad nunca antes vistas, lo que los convierte en una herramienta ideal para la fabricación de dispositivos de alta calidad.
Uno de los principales beneficios de esta patente es que permite el crecimiento de nanoalambres de GaN en sustratos de nitruros del grupo III, como el AlN y el InN. Esto es importante porque estos materiales tienen propiedades únicas que los hacen ideales para la fabricación de dispositivos semiconductores, como una alta conductividad térmica y eléctrica, una alta resistencia mecánica y una gran resistencia a la corrosión.
Además, la técnica de crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN es altamente escalable, lo que significa que se puede utilizar para fabricar dispositivos en grandes cantidades. Esto es importante porque la demanda de dispositivos semiconductores sigue creciendo a medida que la tecnología avanza y se desarrollan nuevas aplicaciones.
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En cuanto a las aplicaciones de esta patente, hay muchas posibilidades interesantes. Los nanoalambres de GaN se pueden usar en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta velocidad, como transistores y diodos emisores de luz. También se pueden utilizar en la fabricación de dispositivos ópticos, como láseres y fotodetectores, gracias a sus propiedades ópticas únicas.
En resumen, la patente de crecimiento pulsado de nanoalambres de GaN tiene el potencial de revolucionar la fabricación de dispositivos semiconductores, gracias a su alta precisión, escalabilidad y versatilidad. Con el tiempo, es probable que veamos una amplia gama de aplicaciones para esta tecnología, desde la electrónica de alta velocidad hasta la optoelectrónica y la energía renovable.
Algunas patentes que relacionadas son: * COLECTOR SOLAR DE CANAL DE PELICULA DELGADA.
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Descripcion: Las modalidades ejemplares proporcionan dispositivos semiconductores que incluyen nanoalambres del grupo III-N de calidad alta (esto es, libre de defectos) y configuraciones del nanoalambre del grupo III-N uniforme asi como sus procesos escalables para manufactura, donde la posicion, orientacion, caracteristicas en seccion transversal, longitud y cristalinidad de cada nanoalambre puede ser precisamente controlada. Un modo de crecimiento pulsado puede usarse para fabricar el nanoalambre del grupo III-N descrito y/o configuraciones del nanoalambre proporcionando una longitud uniforme de alrededor de 10 nm hasta alrededor de 1000 micrones con las caracteristicas en seccion transversal constantes incluyendo un diametro ejemplar de alrededor de 10-1000 nm. Adema, las estructuras del substrato GaN de calidad alta pueden formarse por coalescer la pluralidad del nanoalambre GaN y/o configuraciones del nanoalambre para facilitar la fabricacion de los LEDs visibles o laseres. Adema, las estructuras MW activas/nanoalambre de envolvente-nucleo pueden formarse por un crecimiento del envolvente-nucleo en las paredes laterales no polares de cada nanoalambre.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii. en México
Solicitud: MX/a/2008/011275
Fecha de Presentacion: 2008-09-03
Solicitante(s): STC.UNM; 801 University Blvd. SE, Suite 104, Albuquerque, 87106, New Mexico, E.U.A.; US
Inventor(es): STEPHEN M. HERSEE, XIN WANG, XINYU SUN, 6963 Carmelito Loop NE, Albuquerque, 87113, New Mexico, E.U.A., CN
Clasificacion: H01L21/20(2006.01) referente a Crecimiento Pulsado De Nanoalambres De Gan Y Aplicaciones En Materiales Y Dispositivos De Substrato Semiconductor De Nitruros Del Grupo Iii.