Celda De Union De Tunel Magnetica Que Incluye Multiples Dominios Magneticos.
La celda de unión de túnel magnética es un componente fundamental en la construcción de dispositivos electrónicos basados en la tecnología de la información. Esta celda es una estructura que consiste en dos capas ferromagnéticas separadas por una capa aislante, que permite el paso de electrones a través de ella. La celda de unión de túnel magnética se utiliza en la construcción de dispositivos como sensores de campo magnético, dispositivos de almacenamiento de datos y dispositivos de lógica.
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Recientemente, se ha desarrollado una nueva tecnología que incluye múltiples dominios magnéticos en la celda de unión de túnel magnética. Esta tecnología permite una mayor eficiencia en la transmisión de señales y una mayor capacidad de almacenamiento de datos.
Los dominios magnéticos son regiones en una capa ferromagnética donde los momentos magnéticos están alineados en una dirección particular. En el caso de una celda de unión de túnel magnética, los dominios magnéticos se utilizan para controlar la resistencia de la celda. Cuando los dominios magnéticos están alineados, la celda tiene una baja resistencia, lo que permite que los electrones fluyan a través de ella. Cuando los dominios magnéticos no están alineados, la celda tiene una alta resistencia, lo que impide el flujo de electrones.
La inclusión de múltiples dominios magnéticos en la celda de unión de túnel magnética permite una mayor eficiencia en la transmisión de señales. Cuando los dominios magnéticos están alineados, la celda tiene una baja resistencia, lo que permite que las señales fluyan a través de ella con facilidad. Cuando los dominios magnéticos no están alineados, la celda tiene una alta resistencia, lo que impide la transmisión de señales. Esto permite una mayor eficiencia en la transmisión de señales a través de la celda de unión de túnel magnética.
Además, la inclusión de múltiples dominios magnéticos en la celda de unión de túnel magnética también permite una mayor capacidad de almacenamiento de datos. Los dominios magnéticos se pueden utilizar para almacenar información binaria, donde un dominio magnético alineado representa un 1 y un dominio magnético no alineado representa un 0. Al incluir múltiples dominios magnéticos, se puede aumentar la capacidad de almacenamiento de la celda de unión de túnel magnética.
En conclusión, la inclusión de múltiples dominios magnéticos en la celda de unión de túnel magnética es una tecnología que permite una mayor eficiencia en la transmisión de señales y una mayor capacidad de almacenamiento de datos. Esta tecnología es muy prometedora y tiene el potencial de revolucionar la industria de la tecnología de la información.
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Descripcion: En una modalidad particular, se divulga una estructura (100) de union de tunel magnetica (MTJ - magnetic tunnel junction) que incluye una celda de MTJ que tiene multiples paredes laterales (110, 112, 114) que se extienden substancialmente normales a una superficie de un substrato (490). Cada una de las multiples paredes laterales incluye una capa libre (106) para llevar un dominio magnetico único. Cada uno de los dominios magneticos únicos se adapta para almacenar un valor digital.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Celda De Union De Tunel Magnetica Que Incluye Multiples Dominios Magneticos. en México
Solicitud: MX/a/2010/008268
Fecha de Presentacion: 2010-07-28
Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.
Inventor(es): XIA LI, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.
Clasificacion: G11C11/16 (2006-01), G11C11/56 (2006-01), H01L27/22 (2006-01), H01L43/08 (2006-01) referente a Celda De Union De Tunel Magnetica Que Incluye Multiples Dominios Magneticos.