Celda De Memoria Y Metodo Para Formar Un Cruce De Tunel Magnetico (mtj) De Una Celda De Memoria.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Se describen una memoria que incluye una celda de memoria y un metodo para producir la celda de memoria. La memoria incluye un sustrato en un primer plano. Se proporciona una primera conexion metalica que se extiende en un segundo plano. El segundo plano es sustancialmente perpendicular al primer plano. Se proporciona un cruce de tunel magnetico (MTJ) que tiene una primera capa acoplada con la conexion metalica de modo que la primera capa del MTJ se orienta a lo largo del segundo plano.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2010/007506

Fecha de Presentación:

07-07-2010

Clasificación:

G11C11/16 (2006-01)

Solicitante(s):

QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.

Inventor(es):

SEUNG H. KANG, SHIQUN GU, MATTHEW M. NORWAK, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.

Información Adicional

La tecnología avanza a pasos agigantados y cada vez es más común encontrarnos con dispositivos de almacenamiento de alta capacidad y velocidad. En este sentido, las celdas de memoria son una pieza clave en el funcionamiento de estos dispositivos, ya que son las encargadas de almacenar y recuperar la información de manera rápida y eficiente. Una de las últimas innovaciones en el campo de las celdas de memoria es la tecnología de cruce de túnel magnético (MTJ, por sus siglas en inglés). Esta tecnología permite una mayor densidad de almacenamiento y un menor consumo de energía en comparación con las celdas de memoria tradicionales. Pero, ¿cómo se forma un cruce de túnel magnético en una celda de memoria? El proceso es bastante complejo y requiere de una serie de pasos precisos. En primer lugar, se debe crear una estructura de capas que incluya una capa de material ferromagnético y una capa de material aislante. Esta estructura se conoce como pila de capas ferromagnéticas/aislantes (FM/I). A continuación, se utiliza una técnica de litografía para crear un patrón de máscara en la superficie de la pila FM/I. Este patrón se utiliza para crear una estructura de cruce de túnel magnético (MTJ) en la pila FM/I. El MTJ consta de dos capas ferromagnéticas separadas por una capa aislante. La orientación de los momentos magnéticos en las capas ferromagnéticas determina la resistencia eléctrica del MTJ. Una vez que se ha creado el MTJ, se utiliza una técnica de deposición para crear una capa de material conductor en la parte superior del MTJ. Esta capa se utiliza como electrodo superior de la celda de memoria. En resumen, la tecnología de cruce de túnel magnético es una innovación importante en el campo de las celdas de memoria. La formación de un MTJ en una celda de memoria requiere de una serie de pasos precisos que incluyen la creación de una estructura de capas ferromagnéticas/aislantes, la creación de un patrón de máscara, la creación de un MTJ y la deposición de un electrodo superior. Con esta tecnología, se puede lograr una mayor densidad de almacenamiento y un menor consumo de energía, lo que representa una gran ventaja en el mundo de la tecnología.

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