Adaptacion De Anchos De Impulso De Linea De Palabra En Sistemas De Memoria.
La adaptación de anchos de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria es una patente revolucionaria en el campo de la tecnología de la memoria. Esta patente se refiere a la capacidad de adaptar el ancho de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria para mejorar la eficiencia y el rendimiento del sistema.
El ancho de impulso de línea de palabra se refiere al tiempo que tarda una línea de palabra en pasar de un estado a otro dentro de un sistema de memoria. Si el ancho de impulso de línea de palabra es demasiado largo, el sistema puede experimentar una disminución en el rendimiento debido a la latencia. Por otro lado, si el ancho de impulso de línea de palabra es demasiado corto, puede haber problemas de estabilidad y errores en el sistema.
Con la adaptación de anchos de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria, se pueden ajustar automáticamente los anchos de impulso de línea de palabra para adaptarse a las necesidades específicas del sistema. Esto puede mejorar significativamente el rendimiento del sistema de memoria y reducir la latencia.
Además, esta patente también se refiere a la capacidad de adaptar los anchos de impulso de línea de palabra en tiempo real. Esto permite a los sistemas de memoria ajustar los anchos de impulso de línea de palabra en función de las condiciones cambiantes del sistema, lo que puede mejorar aún más la eficiencia y el rendimiento del sistema.
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En general, la adaptación de anchos de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria es una patente emocionante que tiene el potencial de mejorar significativamente la eficiencia y el rendimiento de los sistemas de memoria. Con esta tecnología, los sistemas de memoria pueden adaptarse automáticamente a las necesidades específicas del sistema en tiempo real, lo que puede mejorar la estabilidad, reducir la latencia y mejorar la eficiencia del sistema en general.
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Descripcion: Se describen sistemas, circuitos y metodos para adaptar anchos de impulso de linea de palabra (WL) utilizados en sistemas de memoria. Una modalidad de la invencion se dirige a un aparato que comprende un sistema de memoria. El sistema de memoria comprende: una memoria que opera de acuerdo con un impulso de linea de palabra (WL) con un ancho de impulso de WL asociada; una unidad de autoprueba integrada (BIST) que se interconecta con la memoria, la unidad de BIST se configura para ejecutar una autoprueba de la funcionalidad interna de la memoria y proporciona una señal que indica si la memoria paso o fallo la autoprueba; y un circuito de control de WL adaptable que se interconecta con la unidad de BIST y la memoria, el circuito de control de WL adaptable se configura para ajustar el ancho de impulso de WL de la memoria con base en la señal proporcionada por la unidad de BIST.
Figura Juridica: Patentes de Invencion, PATENTE:Adaptacion De Anchos De Impulso De Linea De Palabra En Sistemas De Memoria. en México
Solicitud: MX/a/2010/006685
Fecha de Presentacion: 2010-06-16
Solicitante(s): QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.
Inventor(es): SEI SEUNG YOON, MOHAMED H. ABU-RAHMA, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.
Clasificacion: G11C29/50 (2006-01) referente a Adaptacion De Anchos De Impulso De Linea De Palabra En Sistemas De Memoria.