Adaptacion De Anchos De Impulso De Linea De Palabra En Sistemas De Memoria.

Resumen de la Invención

La presente invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador y un aparato formador de imágenes que incluye dicho contenedor. En particular, la invención se refiere a un contenedor de almacenamiento de revelador que es capaz de mantener la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo y evitar la contaminación del mismo.

El contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención comprende una cámara de almacenamiento que contiene el revelador, una tapa de cierre hermético para cerrar la cámara de almacenamiento y una unidad de desgasificación. La unidad de desgasificación se encuentra instalada en la tapa de cierre hermético y se encarga de eliminar el aire y los gases disueltos en el revelador. De esta manera, se evita la oxidación del revelador y se garantiza su calidad durante largos períodos de tiempo.

Además, el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención incluye una unidad de recirculación de revelador. La unidad de recirculación de revelador se encarga de mantener el revelador en movimiento constante para evitar la sedimentación de los componentes del mismo y garantizar su homogeneidad. La unidad de recirculación de revelador se encuentra conectada a una bomba de recirculación que se encarga de hacer circular el revelador a través de un circuito cerrado que incluye la cámara de almacenamiento y la unidad de desgasificación.

El aparato formador de imágenes que incluye el contenedor de almacenamiento de revelador de la presente invención se compone de una unidad de revelado y una unidad de fijado. La unidad de revelado se encarga de aplicar el revelador sobre la superficie del material fotosensible para formar la imagen. La unidad de fijado se encarga de fijar la imagen formada en el material fotosensible mediante la aplicación de un agente fijador.

En conclusión, el contenedor de almacenamiento de revelador y el aparato formador de imágenes de la presente invención ofrecen una solución efectiva para el almacenamiento del revelador y la formación de imágenes. La unidad de desgasificación y la unidad de recirculación de revelador garantizan la calidad del revelador durante largos períodos de tiempo, mientras que la unidad de revelado y la unidad de fijado garantizan la formación y fijación efectiva de las imágenes.

Descripción Técnica Detallada (Abstract de Base de Datos)

Se describen sistemas, circuitos y metodos para adaptar anchos de impulso de linea de palabra (WL) utilizados en sistemas de memoria. Una modalidad de la invencion se dirige a un aparato que comprende un sistema de memoria. El sistema de memoria comprende: una memoria que opera de acuerdo con un impulso de linea de palabra (WL) con un ancho de impulso de WL asociada; una unidad de autoprueba integrada (BIST) que se interconecta con la memoria, la unidad de BIST se configura para ejecutar una autoprueba de la funcionalidad interna de la memoria y proporciona una señal que indica si la memoria paso o fallo la autoprueba; y un circuito de control de WL adaptable que se interconecta con la unidad de BIST y la memoria, el circuito de control de WL adaptable se configura para ajustar el ancho de impulso de WL de la memoria con base en la señal proporcionada por la unidad de BIST.

Detalles de la Patente

Figura Jurídica:

Patentes de Invencion

Número de Solicitud:

MX/a/2010/006685

Fecha de Presentación:

16-06-2010

Clasificación:

G11C29/50 (2006-01)

Solicitante(s):

QUALCOMM INCORPORATED.*; 5775 Morehouse Drive, 92121-1714, San Diego, California, E.U.A.

Inventor(es):

SEI SEUNG YOON, MOHAMED H. ABU-RAHMA, 5775 Morehouse Drive, 92121, San Diego, California, E.U.A.

Información Adicional

La adaptación de anchos de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria es una patente revolucionaria en el campo de la tecnología de la memoria. Esta patente se refiere a la capacidad de adaptar el ancho de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria para mejorar la eficiencia y el rendimiento del sistema. El ancho de impulso de línea de palabra se refiere al tiempo que tarda una línea de palabra en pasar de un estado a otro dentro de un sistema de memoria. Si el ancho de impulso de línea de palabra es demasiado largo, el sistema puede experimentar una disminución en el rendimiento debido a la latencia. Por otro lado, si el ancho de impulso de línea de palabra es demasiado corto, puede haber problemas de estabilidad y errores en el sistema. Con la adaptación de anchos de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria, se pueden ajustar automáticamente los anchos de impulso de línea de palabra para adaptarse a las necesidades específicas del sistema. Esto puede mejorar significativamente el rendimiento del sistema de memoria y reducir la latencia. Además, esta patente también se refiere a la capacidad de adaptar los anchos de impulso de línea de palabra en tiempo real. Esto permite a los sistemas de memoria ajustar los anchos de impulso de línea de palabra en función de las condiciones cambiantes del sistema, lo que puede mejorar aún más la eficiencia y el rendimiento del sistema. En general, la adaptación de anchos de impulso de línea de palabra en sistemas de memoria es una patente emocionante que tiene el potencial de mejorar significativamente la eficiencia y el rendimiento de los sistemas de memoria. Con esta tecnología, los sistemas de memoria pueden adaptarse automáticamente a las necesidades específicas del sistema en tiempo real, lo que puede mejorar la estabilidad, reducir la latencia y mejorar la eficiencia del sistema en general.

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